[发明专利]一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构及其封装方法在审
申请号: | 201911291000.0 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN110808230A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 金豆;徐虹;徐霞;陈栋;张黎;赖志明;张国栋;陈锦辉 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214434 江苏省无锡市江阴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面包 芯片 尺寸 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种包覆型芯片尺寸的封装结构,其包括硅基本体(111)和芯片电极(113),且芯片电极(113)嵌入硅基本体(111)表面,露出芯片电极正面,在所述硅基本体(111)表面设置钝化层(210),且在芯片电极处设置有钝化层开口(213),所述钝化层开口(213)尺寸小于芯片电极(113)尺寸,且露出芯片电极(113)的正面,
其特征在于,所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ(310),且与钝化层开口(213)处设置介电层开口Ⅰ(311),所述介电层开口Ⅰ(311)的尺寸小于钝化层开口(213)的尺寸,所述介电层Ⅰ(310)的覆盖面积小于钝化层(210的面积并露出钝化层(210)的边缘,在所述介电层Ⅰ(310)上覆盖金属种子层Ⅰ(410),再在所述金属种子层Ⅰ(410)上覆盖再布线金属层(510);
在所述再布线金属层(510)上覆盖介电层Ⅱ(320),且在所需位置处相应设置介电层开口Ⅱ(321),所述介电层Ⅱ(320)的侧面与介电层Ⅰ(310)的侧面齐平,在所述介电层Ⅱ开口(321)处依次设置金属种子层Ⅱ(420)和金属凸块(520),所述金属凸块(520)上设置焊球(600);
还包括包覆层Ⅰ(123)和包覆层Ⅱ(132),所述包覆层Ⅰ(123)设置于硅基本体(111)的四周和背面,其上表面向上延展与介电层Ⅱ(320)的上表面齐平,所述包覆层Ⅱ(132)覆盖介电层Ⅱ(320)和包覆层Ⅰ(123)的上表面,其上表面与金属凸块(520)的上表面齐平。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述包覆层Ⅰ(123)与包覆层Ⅱ(132)是一体结构,将硅基本体(111)的六个面包覆其中。
3.一种包覆型芯片尺寸的封装结构的封装方法,包括如下步骤:
步骤一,提供一内含集成电路的晶圆(100),其上分布已完成电路制造的芯片,芯片上覆盖钝化层(210),且在芯片电极(113)处开设钝化层开口(213)并露出芯片电极(113),钝化层开口(213)的尺寸小于芯片电极(213)的尺寸;
步骤二,利用光刻工艺在晶圆表面设置介电层Ⅰ(310),并开设介电层Ⅰ开口Ⅰ(311)和介电层Ⅰ开口Ⅱ(312),其中,所述介电层Ⅰ开口Ⅰ(311)露出芯片电极(113)的正面,且介电层Ⅰ开口Ⅰ(311)的尺寸小于芯片电极(113)的尺寸,介电层Ⅰ开口Ⅱ(321)沿划片道设置,并露出钝化层(210)的上表面;
步骤三,利用物理气相沉积的方法在晶圆表面沉积金属种子层Ⅰ(410),再利用光刻和电镀工艺,设置再布线金属层(510);
步骤四,再次利用光刻工艺,在圆片表面设置介电层Ⅱ(320),并开设介电层Ⅱ开口Ⅰ(321)和介电层Ⅱ开口Ⅱ(322),所述介电层Ⅱ开口Ⅰ(321)露出再布线金属层(510)输出端,其位置根据设计而定,所述介电层Ⅱ开口Ⅱ(322)再次沿划片道设置,并与介电层Ⅰ开口Ⅱ(312)重合露出钝化层的上表面;
步骤五,通过物理抛磨的方法将晶圆(100)背面进行工艺减薄,其减薄厚度根据产品实际情况确定;
步骤六,并将减薄的晶圆通过划片工艺,按照划片道切成单颗,形成复数颗芯片单体;
步骤七,取一硅基支撑载体(900),并在硅基支撑载体(900)表面粘贴剥离膜(700),将步骤六得到的芯片单体按照一定的排列顺序倒装至硅基支撑载体(900)上,芯片通过剥离膜(700)与硅基支撑载体(900)临时键合,此时芯片单体上表面黏附于剥离膜(700)上,背面向上;
步骤八,在真空环境下,在硅基支撑载体(900)通过注塑包封料或者贴包封膜的方式形成包覆层Ⅰ(123),所述包覆层Ⅰ(123)完全包覆芯片单体,形成包覆层保护的包封体,并将硅基支撑板(800)键合至包覆层Ⅰ(123)的背面;
步骤九,将硅基支撑载体(900)去除,同时去除剥离膜(700),露出芯片单体上表面的再布线金属层(510)、介电层Ⅱ(320)和介电层Ⅱ开口Ⅰ(321),并对芯片单体的上表面进行清洗,去除残留物;
步骤十,再次利用物理气相沉积的方法在晶圆表面沉积金属种子层Ⅱ(420),利用光刻和电镀工艺在金属种子层Ⅱ(420)上设置金属凸块,并腐蚀去掉无效的金属种子层Ⅱ(420),形成金属凸块(520);
步骤十一,在真空环境下,通过注塑包封料或者贴包封膜的方式形成正面的包覆层Ⅱ(132),对重构晶圆正面进行包覆,包覆层Ⅱ(132)完全包覆芯片表面及金属凸块(520);
步骤十二,通过物理抛磨的方法将重构晶圆正面进行减薄,此时减薄部分为正面的包覆层Ⅰ(123)和金属凸块(520),通过抛磨、腐蚀的方法将包覆层Ⅰ(123)减薄至产品要求的高度;
步骤十三,在金属凸块(520)处设置焊球(600);
步骤十四,通过物理抛磨的方法将晶圆背面进行减薄工艺,去除硅基支撑板(800),减薄背面的包覆层Ⅰ(123);
步骤十五,将上述通过圆片级工艺完成的包覆型芯片尺寸的封装结构进行切割,形成侧壁和上下表面由包覆层包覆的封装单体,封装单体中的芯片数量包括但不限于一颗。
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