[发明专利]一种单电路双比特移相器有效

专利信息
申请号: 201911291224.1 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN111029686B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 刘云;刘凌云;邰凡彬 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: H01P1/18 分类号: H01P1/18
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 熊玉玮
地址: 211106 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路 比特 移相器
【权利要求书】:

1.一种单电路双比特移相器,其特征在于,该单电路双比特移相器为90°电桥耦合器和两个双比特四状态加载电抗网络组成的一个移相单元,90°电桥耦合器的输入端为该单电路双比特移相器的输入端口,90°电桥耦合器两个输出端子分别接有一个双比特四状态加载电抗网络,两个双比特四状态加载电抗网络的等效传输线输入阻抗相同,所述双比特四状态加载电抗网络为由微带线组成的电抗网络,且每个双比特四状态加载电抗网络分别通过两个开关接地,两个双比特四状态加载电抗网络相同位置传输线所连接的开关受控于同一信号,双比特四状态加载电抗网络在四种开关组合状态下等效为四种电长度的传输线,双比特四状态加载电抗网络中各段微带线的特性阻抗和电长度以双比特四状态加载电抗网络在四种开关组合状态下等效传输线的电长度依次为ϕ0/2、(ϕ0+ϕ1)/2、(ϕ0+ϕ2)/2、(ϕ0+ϕ1+ϕ2)/2以及对应等效传输线输入阻抗依次为50*j*tan[(ϕ0)/2]、50*j*tan[(ϕ0+ϕ1)/2]、50*j*tan[(ϕ0+ϕ2)/2]、50*j*tan[(ϕ0+ϕ1+ϕ2)/2]为目标确定,ϕ1、ϕ2为待实现双比特移相器的移相量,ϕ0为基准相位,其中,

所述双比特四状态加载电抗网络为由四段微带线组成的电抗网络,第一微带线的一端接90°电桥耦合器的一个输出端子,第二微带线的一端、第三微带线的一端均与第一微带线的另一端连接,第四微带线的一端与第二微带线的另一端连接,第三微带线的另一端与第四微带线的另一端连接,第二微带线和第四微带线的连接点经第一开关接地,第三微带线与第四微带线的连接点经第二开关接地。

2.一种单电路双比特移相器,其特征在于,该单电路双比特移相器为90°电桥耦合器和两个双比特四状态加载电抗网络组成的一个移相单元,90°电桥耦合器的输入端为该单电路双比特移相器的输入端口,90°电桥耦合器两个输出端子分别接有一个双比特四状态加载电抗网络,两个双比特四状态加载电抗网络的等效传输线输入阻抗相同,所述双比特四状态加载电抗网络为由微带线组成的电抗网络,且每个双比特四状态加载电抗网络分别通过两个开关接地,两个双比特四状态加载电抗网络相同位置传输线所连接的开关受控于同一信号,双比特四状态加载电抗网络在四种开关组合状态下等效为四种电长度的传输线,双比特四状态加载电抗网络中各段微带线的特性阻抗和电长度以双比特四状态加载电抗网络在四种开关组合状态下等效传输线的电长度依次为ϕ0/2、(ϕ0+ϕ1)/2、(ϕ0+ϕ2)/2、(ϕ0+ϕ1+ϕ2)/2以及对应等效传输线输入阻抗依次为50*j*tan[(ϕ0)/2]、50*j*tan[(ϕ0+ϕ1)/2]、50*j*tan[(ϕ0+ϕ2)/2]、50*j*tan[(ϕ0+ϕ1+ϕ2)/2]为目标确定,ϕ1、ϕ2为待实现双比特移相器的移相量,ϕ0为基准相位,其中,

所述双比特四状态加载电抗网络为由三段微带线组成的平面传输线耦合结构的电抗网络,第一微带线的一端接90°电桥耦合器的一个输出端子,第一微带线的另一端接地,第二微带线及第三微带线均与第一微带线耦合,第二微带线的一端通过第一开关接地,第二微带线的另一端接地,第三微带线的一端通过第二开关接地,第三微带线的另一端接地。

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