[发明专利]SGT器件的工艺方法有效

专利信息
申请号: 201911291567.8 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN111128703B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 张辉;陈正嵘 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦健
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: sgt 器件 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种SGT器件的工艺方法,针对在沟槽中形成多晶硅源极及多晶硅栅极,其特征在于:包含如下的工艺步骤:

第一步,在重掺杂的半导体衬底上形成沟槽型栅极,所述的沟槽型栅极是在衬底上形成沟槽,然后淀积一层介质层以及一层衬垫氧化层,然后沉积多晶硅并回刻,形成源极多晶硅;所述的介质层为栅介质层,衬垫氧化层覆盖在栅介质层表面,回刻多晶硅至其上表面位于沟槽中部区域;回刻完成后沟槽上部的侧边保留有衬垫氧化层;

第二步,再次形成一层热氧化层;所述的热氧化层形成于沟槽内,覆盖在沟槽上部侧壁的衬垫氧化层上,以及沟槽下部的多晶硅上表面;

第三步,采用HDPCVD法再沉积一层氧化层;HDPCVD法沉积的氧化层覆盖于沟槽上部的热氧化层之上,能使热氧化层的表面更加平坦,沟槽剩余空间的底部拐角过渡更平滑;

第四步,移除沟槽上部侧边的衬垫氧化层,露出栅介质层;

第五步,淀积多晶硅并回刻,完成沟槽上部的多晶硅栅极的制作。

2.如权利要求1所述的SGT器件的工艺方法,其特征在于:所述的热氧化层的厚度为5250Å。

3.如权利要求1所述的SGT器件的工艺方法,其特征在于:所述的HDPCVD法沉积的氧化层的厚度为1000Å。

4.如权利要求1所述的SGT器件的工艺方法,其特征在于:第四步中,沟槽上部的衬垫氧化层去除,保留沟槽侧壁的介质层,沟槽下部的多晶硅上表面保留一层热氧化层,沟槽侧壁的介质层与下部热氧化层融合形成整体,形成沟槽上部的隔离空间,用于完成沟槽上部多晶硅栅极的制作。

5.如权利要求1所述的SGT器件的工艺方法,其特征在于:所述HDPCVD法沉积的氧化层能有效增加热氧化层的厚度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911291567.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code