[发明专利]一种新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201911291575.2 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111081871A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;黄金荣;王芳;李宇翔;王路广;胡凯 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 刘书元 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 相变 材料 cr sbte 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法，采用反应离子刻蚀技术，包括以下步骤：
步骤一：在氧化硅衬底上磁控溅射生长Cr-SbTe合金材料薄膜；
步骤二：利用紫外光刻技术在薄膜表面形成图形化光刻胶掩膜；
步骤三：利用六氟化硫与氩气和氧气混合气体进行刻蚀，调整射频功率范围为50W-200W，工作压强范围为10mTorr-30mTorr；
步骤四：将刻蚀后的样品在丙酮中去除光刻胶，用于测试与表征。
2.根据权利要求书1所述的新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法，其特征在于，材料包含三种元素的原子百分比为：Cr:Sb:Te＝10.5％:40.7％:48.8％。
3.根据权利要求1所述的新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法，其特征在于，在步骤三中所述混合气体中六氟化硫占总气体体积比为50％～80％。
4.根据权利要求1所述的新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法，其特征在于，在步骤三中所述混合气体中氩气占总气体体积比为10％-40％。
5.根据权利要求1所述的新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法，其特征在于，在步骤三中所述混合气体中氧气占总气体体积比为10％。
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