[发明专利]铝垫结构的形成方法以及包含铝垫结构的器件

说明书

本申请公开了一种铝垫结构的形成方法和包含铝垫结构的器件，包括：在第一介质层上形成铝金属层；通过光刻工艺刻蚀去除除目标金属互连线上方区域以外其它区域的铝金属层，使其它区域的第一介质层和其它第二层金属互连线暴露；在第一介质层、其它第二层金属互连线和铝金属层上形成钝化层；在钝化层上形成第二介质层；在第二介质层上涂布光阻层；对光阻层进行刻蚀，使铝金属层上方的第二介质层暴露；对第二介质层进行刻蚀，使铝金属层上方的钝化层暴露；对钝化层和剩余的光阻层进行刻蚀，去除剩余的光阻层，剩余的钝化层在铝金属层的开口周侧形成筒状的垫片结构。本实施例提供的方法中仅包括一次光刻工艺进行刻蚀，降低了制造工艺的复杂度。

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种铝垫结构的形成方法以及具有铝垫结构的器件。

背景技术

在集成电路制造领域，芯片通常需要制作铝制垫片(以下简称“铝垫”)结构，用于后端测试时作为探针卡连接的测试端和芯片封装引脚的焊接点。因此铝垫结构对于芯片产品测试时的信号传送和使用都起着重要的作用。

图1至图5示出了相关技术中提供的铝垫结构的形成方法，包括：

步骤S1，如图1所示，第一介质层110中形成有第一层金属互连线111和第二层金属互连线121、122，第一层金属互连线111和第二层金属互连线122之间形成有接触孔1101、1102。

步骤S2，如图2所示，在第一介质层110上形成第二介质层120后，通过光刻工艺刻蚀去除第二层金属互连线122上的第二介质层，形成通孔101。

步骤S3，如图3所示，在第二介质层120和通孔101的上形成铝金属层130。

步骤S4，如图4所示，通过光刻工艺刻蚀去除第二介质层120上的铝金属层，剩余的铝金属层形成高于第二介质层120的铝垫(如图4中虚线所示)。

步骤S5，如图5所示，在铝金属层130和第二介质层120上形成钝化层140后，通过光刻工艺刻蚀去除通孔101中的钝化层，形成铝垫结构150。

相关技术中提出的铝垫结构的形成方法中，在步骤S2、步骤S4和步骤S5，需要通过三次光刻工艺进行刻蚀，工艺较为复杂且制造成本较高。

发明内容

本申请提供了一种铝垫结构的形成方法以及包含铝垫结构的器件，可以解决相关技术中提供的铝垫结构的形成方法工艺较为复杂且制造成本较高的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种铝垫结构的形成方法，包括：

在第一介质层上形成铝金属层，所述第一介质层中形成有第一层金属互连线和第二层金属互连线，所述第一层金属互连线位于所述第二层金属互连线的下方，所述第一层金属互连线和所述第二层金属互连线之间形成有接触孔；

通过光刻工艺刻蚀去除除所述第二层金属互连线中的目标金属互连线上方区域以外其它区域的铝金属层，使所述其它区域的第一介质层和其它第二层金属互连线暴露；

在所述第一介质层、所述其它第二层金属互连线和所述铝金属层上形成钝化层；

在所述钝化层上形成第二介质层；

在所述第二介质层上涂布光阻层；

对所述光阻层进行刻蚀，使所述铝金属层上方的第二介质层暴露；

对所述第二介质层进行刻蚀，使所述铝金属层上方的钝化层暴露；

对所述钝化层和剩余的光阻层进行刻蚀，去除所述剩余的光阻层，剩余的所述钝化层在所述铝金属层的开口周侧形成筒状的垫片结构。

可选的，所述钝化层从下而上依次包括底层氮化硅层、中间二氧化硅层和顶层氮化硅层。