[发明专利]Cr离子轰击改善多弧离子镀涂层性能的方法在审
| 申请号： | 201911292452.0 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110872697A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 曾德长;易斌;邱兆国 | 申请（专利权）人： | 广东正德材料表面科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/06;C23C14/32 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cr 离子 轰击 改善 离子镀 涂层 性能 方法 | ||
1.Cr离子轰击改善多弧离子镀涂层性能的方法，其特征在于，所述方法为：在基体表面沉积TiN涂层后，用Cr靶轰击TiN涂层表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤包括：
S1：将表面经过预处理的基体置于真空室内，第一次抽真空至本底真空度；
S2：向真空室中通入氩气，对基体表面进行氩离子辉光清洗；
S3：对真空室第二次抽真空后通入氮气，用Ti靶对基体表面进行TiN涂层沉积；
S4：对真空室第三次抽真空后通入氩气，用Cr靶对步骤S3沉积的TiN涂层表面进行轰击。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氩离子辉光清洗的氩气气压为2.0～4.0Pa。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氩离子辉光清洗的时间为10min。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S3所述第二次抽真空的真空度为(1～3)×10-2Pa。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S3所述TiN涂层沉积的弧电流为65～100A。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S3所述TiN涂层沉积的时间为40min。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S4所述轰击的氩气气压为0.2～0.6Pa。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S4所述轰击的时间为5～10min。
10.根据权利要求1～9任一项所述的方法，其特征在于，所述基体为M2高速钢。
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