[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供用于在具有电压感测构造的半导体装置中对寄生晶体管的动作进行抑制的技术。半导体装置具有半导体层(2)、第一杂质区域(3A)、第二杂质区域(3B)、第一半导体区域(4A)、第二半导体区域(4B)、第一电极(6)、第二电极(S1)、第三电极(S2)，第二杂质区域至少在第二半导体区域的下方具有低寿命区域(1000)，该低寿命区域(1000)是具有比第二杂质区域的表层的缺陷密度高的缺陷密度的区域或扩散了重金属的区域。

技术领域

本申请说明书中公开的技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，提供了具有对pn结的正向偏置电压V进行测定的电压感测构造的半导体装置。该半导体装置的电压感测构造例如在n型半导体层的表层形成有p型杂质区域，并且在p型杂质区域的表层形成有n型半导体区域。

而且，在p型杂质区域的上表面及n型半导体区域的上表面各自连接有感测电极(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平8-316471号公报

在上述构造中，由n型半导体层、p型杂质区域和n型半导体区域形成纵型寄生NPN晶体管。因此，由于在感测电极之间流动的恒定电流成为寄生NPN晶体管的基极电流，因此电子流从n型半导体区域到达漏极电极。

而且，如果作为寄生NPN晶体管的电流变大，则不仅基于感测电位的温度等的测定精度降低，而且还存在半导体装置因发热等而破损的可能性。

发明内容

本申请说明书所公开的技术就是鉴于以上记载那样的问题而提出的，其目的在于提供用于在具有电压感测构造的半导体装置中对寄生晶体管的动作进行抑制的技术。

本申请说明书所公开的技术的第一方式具有：第一导电型的半导体层；第二导电型的第一杂质区域，其局部地形成于所述半导体层的表层；第二导电型的第二杂质区域，其局部地形成于所述半导体层的表层，并且形成为与所述第一杂质区域分离；第一导电型的第一半导体区域，其局部地形成于所述第一杂质区域的表层；第一导电型的第二半导体区域，其局部地形成于所述第二杂质区域的表层；第一电极，其与所述第一杂质区域的上表面和所述第一半导体区域的上表面接触地形成；第二电极，其与所述第二杂质区域的上表面接触地形成；第三电极，其与所述第二半导体区域的上表面接触地形成；以及栅极电极，其隔着绝缘膜设置于被所述半导体层和所述第一半导体区域夹着的所述第一杂质区域的上表面，所述第二杂质区域至少在所述第二半导体区域的底部具有低寿命区域，该低寿命区域是具有比所述第二杂质区域的表层的缺陷密度高的缺陷密度的区域或扩散了重金属的区域。

此外，在本申请说明书所公开的技术的第二方式中，在第一导电型的半导体层的表层局部地形成第二导电型的第一杂质区域，在所述半导体层的表层的与所述第一杂质区域分离的位置局部地形成第二导电型的第二杂质区域，通过在所述第二杂质区域的至少底部照射电子束、质子或氦，或使重金属扩散，从而形成低寿命区域，该低寿命区域是具有比所述第二杂质区域的表层的缺陷密度高的缺陷密度的区域或扩散了重金属的区域，在所述第一杂质区域的表层局部地形成第一导电型的第一半导体区域，在所述第二杂质区域的表层局部地形成第一导电型的第二半导体区域，形成与所述第一杂质区域的上表面和所述第一半导体区域的上表面接触的第一电极，形成与所述第二杂质区域的上表面接触的第二电极，形成与所述第二半导体区域的上表面接触的第三电极，在被所述半导体层和所述第一半导体区域夹着的所述第一杂质区域的上表面，隔着绝缘膜形成栅极电极。

发明的效果