[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

底电池；

位于所述底电池第一侧的第一隧穿结层；

位于所述第一隧穿结层背离所述底电池一侧的背反射层；

位于所述背反射层背离所述第一隧穿结层一侧的中电池；

位于所述中电池背离所述底电池一侧的第二隧穿结层；

位于所述第二隧穿结层背离所述中电池一侧的顶电池，所述顶电池包括顶电池基区、位于所述顶电池基区背离所述第二隧穿结层一侧的顶电池发射区以及位于所述顶电池发射区背离所述顶电池基区一侧的顶电池窗口层，其中，所述顶电池基区背离所述第二隧穿结层一侧的表面具有凹槽；

位于所述顶电池发射区和所述顶电池窗口层之间的填充层，所述填充层背离所述顶电池发射区一侧的表面为平面，所述顶电池窗口层形成于所述填充层背离所述顶电池发射区一侧的表面；

所述填充层包括：至少一个层叠单元，所述层叠单元包括：

第一Ga_xIn_(1-X)P层；

位于所述第一Ga_xIn_(1-X)P层背离所述顶电池发射区一侧的第二Ga_xIn_(1-X)P层，所述第二Ga_xIn_(1-X)P层的生长温度高于所述第一Ga_xIn_(1-X)P层的生长温度；

位于所述第二Ga_xIn_(1-X)P层背离所述第一Ga_xIn_(1-X)P层一侧的第三Ga_xIn_(1-X)P层，所述第三Ga_xIn_(1-X)P层的生长温度低于所述第二Ga_xIn_(1-X)P层的生长温度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽侧壁与所述凹槽底部的交界面为弧形面，所述凹槽侧壁与所述顶电池基区背离所述第二隧穿结层一侧表面的交界面为弧形面。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述填充层包括的层叠单元数量取值范围为3-50，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述底电池包括：

锗基板；

位于所述锗基板第一侧表面的N型AlGaInP的形核层；

位于所述形核层背离所述锗基板一侧的缓冲层，所述缓冲层包括N型GaAs层和N型InGaAs层。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿结层包括：N型GaInP层与P型AlGaAs层。