[发明专利]一种基于粒子塑形的真空镀膜装置在审
申请号: | 201911294004.4 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111058002A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 金驰 | 申请(专利权)人: | 金驰 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人: | 郭智 |
地址: | 215400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 粒子 真空镀膜 装置 | ||
一种基于粒子塑形的真空镀膜装置,包括蒸镀腔、设置于蒸镀腔中的第一蒸发源与基板,真空蒸镀装置还包括设置于蒸镀腔中的塑形板与补膜板;塑形板设置于第一蒸发源的上方,其内部开设有若干间隔设置的塑形孔,塑形孔为通孔,其孔径自下由上逐渐减小,塑形孔在塑形板底面上形成的孔径大于蒸发粒子的直径,在塑形板顶面上形成的孔径小于蒸发粒子的直径;补膜板设置于塑形板与基板的中间,其内部开设有若干补膜孔与若干间隔设置的蒸发孔,补膜孔所处的区域为蒸发孔之间的间隔区域;蒸发孔为通孔,其孔径等于塑形孔在塑形板顶面上形成的孔径;补膜孔的底端封闭,其内部设置有第二蒸发源。通过本发明的实施,能够对基板进行均匀的镀膜。
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术领域,特别涉及一种基于粒子塑形的真空镀膜装置。
背景技术
真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料,使其蒸发并凝结于镀件(金属、半导体或绝缘体)表面而形成薄膜的一种方法。例如,真空镀铝、真空镀铬等。
真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面,它是以真空技术为基础,利用物理或化学方法,并吸收电子束、分子束、离子束、等离子束、射频和磁控等一系列新技术,为科学研究和实际生产提供薄膜制备的一种新工艺。简单地说,在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发或溅射,使其在被涂覆的物体(称基板、基片或基体)上凝固并沉积的方法,称为真空镀膜。
现有技术中的真空镀膜装置,在进行镀膜时通常不能使蒸发的粒子均匀的凝结沉积在待成膜的基板表面,从而很难通过真空蒸镀在基板表面获得均匀的镀膜。
发明内容
发明目的:
为了克服背景技术中的缺点,本发明实施例提供了一种基于粒子塑形的真空镀膜装置,能够有效解决上述背景技术中涉及的问题。
技术方案:
一种基于粒子塑形的真空镀膜装置,包括蒸镀腔、设置于所述蒸镀腔中的第一蒸发源与基板,所述真空蒸镀装置还包括设置于所述蒸镀腔中的塑形板与补膜板;
所述塑形板设置于所述第一蒸发源的上方,其内部开设有若干间隔设置的塑形孔,所述塑形孔为通孔,其孔径自下由上逐渐减小,所述塑形孔在所述塑形板底面上形成的孔径大于蒸发粒子的直径,在所述塑形板顶面上形成的孔径小于蒸发粒子的直径;
所述补膜板设置于所述塑形板与所述基板的中间,其内部开设有若干补膜孔与若干间隔设置的蒸发孔,所述补膜孔所处的区域为蒸发孔之间的间隔区域;所述蒸发孔为通孔,其孔径等于所述塑形孔在所述塑形板顶面上形成的孔径;所述补膜孔的底端封闭,其内部设置有第二蒸发源。
作为本发明的一种优选方式,还包括设置在第一蒸发源下方的第一激光发射器、设置在第二蒸发源下方的第二激光发射器、设置在所述蒸镀腔内壁且用于发射与所述补膜板底面处于同一水平线上的红外线的红外发射器以及分别与所述第一激光发射器、第二激光发射器、红外发射器连接的处理器。
作为本发明的一种优选方式,所述塑形孔为四棱柱状,其在所述塑形板底面以及顶面上形成正方形开孔。
作为本发明的一种优选方式,还包括设置在所述补膜板上方的下料装置,所述下料装置由轨道、滑轨、升降机构、下料板以及夹持器构成;所述滑轨纵向设置在所述蒸镀腔的内壁上,所述滑轨与所述处理器连接,用于在所述轨道上滑动;所述升降机构与所述处理器连接,用于驱动所述下料板升降;所述下料板上设置有与所述蒸发孔对应的下料孔;所述夹持器与所述处理器连接且设置在所述下料孔内。
作为本发明的一种优选方式,所述塑形孔、补膜孔以及蒸发孔的内壁上均涂有发热膜。
作为本发明的一种优选方式,所述蒸镀腔壁上设置有真空抽气孔。
作为本发明的一种优选方式,所述第一蒸发源以及第二蒸发源为坩埚或蒸发舟。
本发明实现以下有益效果:
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