[发明专利]存储器数据存取装置及其方法在审

专利信息
申请号: 201911294726.X 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN112988036A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 卢彦儒;黄朝玮 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 存储器 数据 存取 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器数据存取方法,包括:

执行存储器读取指令,其中,所述存储器读取指令包括存储器地址;

判断在对高速缓存器的读取中未命中所述存储器地址;

判断所述存储器地址位于预先设定的存储器地址范围内,其中,所述存储器地址范围对应数据存取量;以及

自存储器的所述存储器地址,读取对应于所述数据存取量的数据块。

2.如权利要求1所述的存储器数据存取方法,还包括:

将所述数据块写入至该高速缓存器。

3.如权利要求2所述的存储器数据存取方法,其中,将所述数据块写入至所述高速缓存器进一步包括:

自所述高速缓存器的多个高速缓存通路中挑选高速缓存通路;

将所述数据块分为多个单元数据,其中,每一单元数据的大小与一高速缓存单元的大小相同;以及

将所述多个单元数据中的至少一个单元数据写入至所挑选的高速缓存通路。

4.如权利要求3所述的存储器数据存取方法,其中,将所述多个单元数据中的至少一个单元数据写入至所挑选的高速缓存通路进一步包括:

判断所述多个单元数据中的第一单元数据未储存于所述高速缓存器;以及

将所述第一单元数据写入至所挑选的高速缓存通路。

5.如权利要求4所述的存储器数据存取方法,还包括:

判断所述多个单元数据中的第二单元数据与所述高速缓存器中的高速缓存单元数据相符;

判断所述第二单元数据未储存于所挑选的高速缓存通路;

清除所述高速缓存器中的所述高速缓存单元数据;以及

将所述第二单元数据写入至所挑选的高速缓存通路。

6.如权利要求4所述的存储器数据存取方法,还包括:

判断所述多个单元数据中的第二单元数据与所述高速缓存器中的高速缓存单元数据相符;

判断所述第二单元数据储存于所挑选的高速缓存通路;以及

丢弃所述第二单元数据。

7.如权利要求1所述的存储器数据存取方法,其中,所述存储器地址范围及相对应的所述数据存取量储存于至少一个缓存器。

8.如权利要求7所述的存储器数据存取方法,其中,所述至少一个缓存器包括第一缓存器以及第二缓存器,所述存储器地址范围储存于所述第一缓存器,相对应的所述数据存取量储存于所述第二缓存器。

9.如权利要求1所述的存储器数据存取方法,其中,所述数据存取量为高速缓存单元大小的至少二倍。

10.一种存储器数据存取装置,包括:

高速缓存器;以及

处理单元,电连接到所述高速缓存器,用以:

执行存储器读取指令,其中,所述存储器读取指令包括存储器地址;

判断在对所述高速缓存器的读取中未命中所述存储器地址;

判断所述存储器地址位于存储器地址范围内,其中,所述存储器地址范围对应数据存取量;以及

自存储器的所述存储器地址,读取对应于所述数据存取量的数据块。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司,未经瑞昱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911294726.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top