[发明专利]存储阵列的动态管理方法和装置

说明书

本申请公开了一种存储阵列的动态管理方法和装置，涉及存储阵列领域。该方法包括：预先为多个存储阵列创建阵列信息结构，其中，每一个存储阵列都包括多个存储单元；当某个存储阵列中有存储单元出现无法继续使用的错误时，在该存储阵列对应的阵列信息结构中记录出现错误的存储单元的信息；当执行写操作时，根据记录的阵列信息对多个存储阵列中除出现错误的存储单元以外的存储单元执行写操作；当对已写入数据的存储单元执行读操作时，如果发生读取出错，则根据记录的阵列信息对发生读取出错的存储单元中的数据进行重建。该装置包括：设置模块、记录模块、写模块和读模块。本申请实现了存储阵列的动态管理，能够达到充分利用存储单元的目的。

技术领域

本申请涉及存储阵列领域，特别是涉及一种存储阵列的动态管理方法和装置。

背景技术

NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。为了增强NANDFlash存储数据的可靠性并且不降低性能，目前，普遍的做法是在多个NAND Flash芯片中，由其中每一个芯片的用于存储数据的块(Block)共同组成多个块存储阵列，由所组成的多个块存储阵列来提供数据存储空间。例如，有N+1个NAND Flash芯片，每一个芯片都有M个块，可以组成M个有N+1个块的块存储阵列。其中，每个块存储阵列中1个块用于存储校验数据，N个块用于存储数据。此N+1个NAND Flash芯片可以提供M*N个块大小的数据存储空间。

但是，上述块存储阵列在使用的过程中，如果其中有一个块出现错误，会丢弃错块所在的块存储阵列，直接导致错块所在的整个块存储阵列无法使用，因此，可用于存储数据的存储空间就会减少，最终会导致块的个数不足无法达到存储系统设定的存储空间大小。例如，上述M个有N+1个块的块存储阵列中，当某个块存储阵列中有1个块出现错误时，该块所在的块存储阵列就无法继续使用，块存储阵列变为M-1个，从而只能提供(M-1)*N个块大小的数据存储空间。

发明内容

本申请的目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓减解决上述问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种存储阵列的动态管理方法，包括：

预先为多个存储阵列创建阵列信息结构，其中，每一个存储阵列都包括多个存储单元；

当某个存储阵列中有存储单元出现无法继续使用的错误时，在该存储阵列对应的阵列信息结构中记录出现错误的存储单元的信息；

当执行写操作时，根据记录的阵列信息对所述多个存储阵列中除所述出现错误的存储单元以外的存储单元执行写操作；

当对已写入数据的存储单元执行读操作时，如果发生读取出错，则根据记录的阵列信息对发生读取出错的存储单元中的数据进行重建。

可选地，当执行写操作时，根据记录的阵列信息对所述多个存储阵列中除所述出现错误的存储单元以外的存储单元执行写操作，包括：

当执行写操作时，根据记录的阵列信息判断当前待写入的存储单元是否为已记录的出现错误的存储单元，如果否，则向该存储单元写入数据。

可选地，当对已写入数据的存储单元执行读操作时，如果发生读取出错，则根据记录的阵列信息对发生读取出错的存储单元中的数据进行重建，包括：

当对已写入数据的存储单元执行读操作时，如果发生读取出错，则根据记录的阵列信息将重建所需存储单元的数据均读出，通过校验数据反向恢复出所述发生读取出错的存储单元中的数据。

可选地，当某个存储阵列中有存储单元出现无法继续使用的错误时，在该存储阵列对应的阵列信息结构中记录出现错误的存储单元的信息，包括：