[发明专利]硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板在审

专利信息
申请号: 201911295105.3 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN110928033A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 程凌志;柳冬冬 申请(专利权)人: 豪威半导体(上海)有限责任公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201611 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 液晶 器件 及其 制造 方法 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种硅基液晶器件,其特征在于,包括:

反射层,形成于一衬底上;

增反射层,形成于所述反射层上;以及,

像素电极,形成于所述增反射层上,所述像素电极和所述反射层电性连接,且所述像素电极的材质为透光材料。

2.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述像素电极或所述反射层穿过所述增反射层,以使得所述像素电极和所述反射层电性连接。

3.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述反射层的材质为金属材料,所述金属材料包括镁、铜、铝、钛、钽、金、锌和银中的至少一种;所述增反射层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种,所述增反射层为单层膜结构或至少两层膜堆叠而成的复合结构;所述透光材料包括氧化铟锡和/或氧化铟锌。

4.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,还包括:电介质层,形成于所述反射层和所述衬底之间。

5.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述硅基液晶器件包括至少两个像素电极,所述硅基液晶器件还包括:绝缘阻隔层、绝缘钝化层和配向层,其中,所述绝缘阻隔层填充在相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开,所述绝缘钝化层和配向层依次覆盖于所述像素电极和所述绝缘阻隔层上。

6.一种硅基液晶器件的制造方法,其特征在于,包括:

形成反射层于一衬底上;

形成增反射层于所述反射层上;以及,

形成像素电极于所述增反射层上,所述像素电极和所述反射层电性连接,且所述像素电极的材质为透光材料。

7.如权利要求6所述的硅基液晶器件的制造方法,其特征在于,所述像素电极或所述反射层穿过所述增反射层,以使得所述像素电极和所述反射层电性连接。

8.如权利要求6所述的硅基液晶器件的制造方法,其特征在于,在形成所述反射层于所述衬底上之前,先形成电介质层于所述衬底上。

9.如权利要求6所述的硅基液晶器件的制造方法,其特征在于,形成至少两个像素电极于所述增反射层上;在形成至少两个所述像素电极于所述增反射层上之后,还包括:填充绝缘阻隔层于相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开,以及,依次覆盖绝缘钝化层和配向层于所述像素电极和所述绝缘阻隔层上。

10.一种硅基液晶显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一项所述的硅基液晶器件,所述硅基液晶显示面板还包括液晶层和透明盖板,所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间通过框胶粘合在一起,所述液晶层夹持于所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间。

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