[发明专利]形成图案化金属层的方法

说明书

本发明涉及一种形成图案化金属层的方法，包括：提供基板，并在基板上依次形成有机涂层和光刻胶层；图形化光刻胶层；刻蚀有机涂层，使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构；沉积金属材料；去除有机涂层、光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料，形成图案化的金属层。上述形成图案化金属层的方法通过在基板上先形成有机涂层再形成光刻胶层，刻蚀有机涂层使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构，也即有机涂层和光刻胶层之间形成台阶，进而在沉积金属层时由于光刻胶层和有机涂层之间不连续，金属层无法在底切结构底部形成，便于去除光刻胶层上的金属材料，且通过控制对有机涂层的刻蚀过程便于控制金属剥离工艺的窗口大小。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种形成图案化金属层的方法。

背景技术

传统的MEMs产品金属工艺会经常用到剥离(lift off)工艺进行金属层的制备。为了形成金属图形，通常先在基板上沉积光刻胶层，图形化光刻胶层，并根据光刻胶层的图形沉积形成金属层。在图形化光刻胶层时，由于光酸不充分扩散会导致光刻胶层顶部光酸分布较多底部光酸分布较少，从而形成倒梯形光刻胶，然后利用倒梯形光刻胶为掩膜沉积金属层。但旋涂后烘烤温度、显影前烘烤温度及光刻露光能量等会影响光酸分布，从而影响光刻时光刻胶倒梯形的角度，导致影响后续剥离工艺的窗口大小及剥离后金属边缘的形貌。因此，在工艺要求较高的金属剥离工艺应用中负胶工艺的稳定性难以达到要求。

发明内容

基于此，有必要针对在金属剥离技术中负胶工艺稳定性差的问题，提供一种一种形成图案化金属层的方法。

一种形成图案化金属层的方法，包括：

提供基板，并在所述基板上依次形成有机涂层和光刻胶层；

图形化所述光刻胶层；

刻蚀所述有机涂层，使所述有机涂层相对于所述光刻胶层形成底切结构；

沉积金属材料；

去除所述有机涂层、所述光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料，形成图案化的金属层。

在其中一个实施例中，所述刻蚀所述有机涂层包括将所述有机涂层溶解于预设温度的纯水。

在其中一个实施例中，所述预设温度高于常温。

在其中一个实施例中，所述有机涂层的材料包括聚乙烯醇。

在其中一个实施例中，所述聚乙烯醇的醇解度为87％～89％。

在其中一个实施例中，所述预设温度大于等于65摄氏度。

在其中一个实施例中，所述有机涂层的溶解速度为

在其中一个实施例中，所述在所述基板上依次形成有机涂层和光刻胶层包括：

在所述基板上涂覆聚乙烯醇溶液；

烘烤所述聚乙烯醇溶液以形成有机涂层；

于所述有机涂层上涂覆光刻胶形成所述光刻胶层。

在其中一个实施例中，所述沉积金属材料的步骤包括：

采用物理气相沉积或电子枪束法沉积金属材料。

在其中一个实施例中，所述去除所述有机涂层、所述光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料包括：

使用有机溶剂溶解所述有机涂层和所述光刻胶层以去除所述光刻胶层上方的金属材料，所述有机溶剂包括NMP或EKC溶液。