[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片

权利要求书

1.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：

图形化基底；

图形化外延缓冲层，所述图形化外延缓冲层覆盖所述图形化基底，所述图形化外延缓冲层背离所述图形化基底的一侧形成有多个第一微结构，所述第一微结构包括第一异质材料结构，所述第一异质材料结构至少位于所述第一微结构的顶部。

2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述第一微结构还包括位于底部的外延材料结构。

3.根据权利要求2所述的图形化复合衬底，其特征在于，以所述图形化基底朝向所述图形化外延缓冲层的方向为第一方向；

所述外延材料在所述第一方向上占所述第一微结构的长度比例为R，其中，0％＜R≤95％。

4.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述图形化基底的表面形成有多个第二微结构和/或多个凹坑，所述图形化外延缓冲层覆盖所述第二微结构和/或所述凹坑。

5.根据权利要求4所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述第二微结构包括第二异质材料结构，所述第二异质材料结构至少位于所述第二微结构的顶部。

6.根据权利要求4所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述第一微结构和所述第二微结构的形状分别为圆台型、圆锥型、棱锥型、棱台型和球冠型中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述多个第二微结构和所述多个第一微结构均阵列排布；

所述第二微结构的排布周期的范围为100nm-10μm，所述第一微结构的排布周期的范围为100nm-10μm。

8.根据权利要求6所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述第二微结构的底面直径范围为500nm-20μm；所述第二微结构的高度范围为10nm-10μm；

所述第一微结构的底面直径范围为500nm-20μm；所述第一微结构的高度范围为10nm-10μm。

9.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述第一异质材料结构为二氧化硅结构、二氧化钛结构或氧化锌结构；所述图形化外延缓冲层为图形化氮化镓层；所述图形化基底为蓝宝石图形化基底。

10.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的图形化复合衬底，还包括位于所述图形化复合衬底上的外延层；

所述图形化复合衬底包括图形化外延缓冲层，所述外延层与所述图形化外延缓冲层的材质相同。

11.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供一平片基底；

图形化所述平片基底以形成图形化基底；

在所述图形化基底的表面形成外延缓冲层，所述外延缓冲层覆盖所述图形化基底；

图形化所述外延缓冲层，以形成图形化外延缓冲层；其中，所述图形化外延缓冲层覆盖所述图形化基底，所述图形化外延缓冲层背离所述图形化基底的一侧形成有多个第一微结构，所述第一微结构包括第一异质材料结构，所述第一异质材料结构至少位于所述第一微结构的顶部。

12.根据权利要求11所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，图形化所述平片基底以形成图形化基底，包括：

在所述平片基底上形成第一光刻胶层；

以第一预设图案掩膜对所述第一光刻胶层进行曝光显影，形成第一光刻胶掩膜；

以所述第一光刻胶掩膜对所述平片基底进行刻蚀，形成所述多个第二微结构和/或多个凹坑；

去除所述第一光刻胶掩膜，形成所述图形化基底。