[发明专利]压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件

说明书

本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件，所述压接式IGBT子模组结构包括依次层叠设置的框体结构、IGBT芯片组件、电路旁路结构、碟簧组件和管盖，所述电路旁路结构分别与所述IGBT芯片组件和所述框体结构抵接，所述管盖和所述电路旁路结构之间具有间隙，所述碟簧组件使所述管盖具有背离所述电路旁路结构的方向运动的趋势，当对所述管盖施加朝向所述电路旁路结构方向的力时，所述管盖能够朝向所述电路旁路结构的方向移动，并能够与所述电路旁路结构相抵。本发明组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，并且更具体地，涉及一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件。

背景技术

IGBT是MOSFET和双极晶体管的复合器件，既有MOSFET易驱动的特点，又有功率晶体管高电压、大电流等特点，是世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，目前正被广泛地应用于电力输变送、高速列车牵引、工业驱动、清洁能源等诸多领域。现有技术中，公开了一种功率半导体模块和功率半导体模块组件，但存在以下缺点：电流旁路需要承受压力形变带来的应力，电流旁路的形变需要一定的空间，会产生额外的接触电阻，使功率半导体模块整体压降变大。针对上述缺点，设计一种组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力的压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件就显得很有必要。

发明内容

针对上述现有技术中的问题，本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件，组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力。

第一方面，本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构，包括：依次层叠设置的框体结构、IGBT芯片组件、电路旁路结构、碟簧组件和管盖，

所述电路旁路结构分别与所述IGBT芯片组件和所述框体结构抵接，所述管盖和所述电路旁路结构之间具有间隙，

所述碟簧组件使所述管盖具有背离所述电路旁路结构的方向运动的趋势，当对所述管盖施加朝向所述电路旁路结构方向的力时，所述管盖能够朝向所述电路旁路结构的方向移动，并能够与所述电路旁路结构相抵。

在其中一个实施方式中，所述框体结构包括底板和限位框，所述限位框设置在所述底板上，用于对所述IGBT芯片组件和所述电路旁路结构限位。

采用上述实施方式的有益效果是：用于对IGBT芯片组件和电路旁路结构支撑和限位。

在其中一个实施方式中，所述IGBT芯片组件包括依次层叠设置的IGBT芯片和钼片，所述IGBT芯片组件设置在所述底板上，所述IGBT芯片的集电极焊接或烧结在所述底板上，所述IGBT芯片的发射极与所述钼片连接。

采用上述实施方式的有益效果是：钼片的设置增强了IGBT芯片组件的通流能力，使压接式IGBT子模组结构整体的压降变小。

在其中一个实施方式中，所述电路旁路结构的纵截面为U形结构。

采用上述实施方式的有益效果是：使碟簧组件能够放置在电路旁路结构内。

在其中一个实施方式中，所述框体结构的纵截面为U形结构。

采用上述实施方式的有益效果是：用于对IGBT芯片组件以及电路旁路结构进行支撑和限位。

在其中一个实施方式中，所述电路旁路结构的两侧分别向外弯折形成翻边，所述翻边的下表面与所述限位框的顶部抵接，所述电路旁路结构的底部与所述钼片远离所述IGBT芯片的一侧抵接。

采用上述实施方式的有益效果是：增加了管盖与电路旁路结构的接触面积，提高了压接式IGBT子模组结构整体的通流能力。

在其中一个实施方式中，所述管盖的侧面设置有限位凸起。

采用上述实施方式的有益效果是：用于卡在密封外框上，从而对管盖进行限位。