[发明专利]一种光电器件晶圆级封装方法及结构

权利要求书

1.一种光电器件晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供玻璃盖板，在其表面制作掩模图案；

塑封掩模图案，并研磨至目标厚度；

去掉研磨图案形成围堰，通过粘结胶将芯片晶圆与围堰键合；

减薄芯片晶圆，在所述芯片晶圆背面刻蚀凹槽，在凹槽中生长铜柱；

填充凹槽，研磨至露出铜柱；

制作n层再布线、阻焊层和凸点，切割形成单颗封装芯片。

2.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装方法，其特征在于，减薄芯片晶圆，在所述芯片晶圆背面刻蚀凹槽，在凹槽中生长铜柱包括：

通过研磨或刻蚀工艺将所述芯片晶圆的背面硅基减薄至目标厚度；

使用干法刻蚀工艺刻蚀出V型槽，其中，槽深大于5μm，槽下开口大于5μm，槽角度大于90°；

通过铜柱凸点制备技术在槽中生长铜柱，所述铜柱的直径大于1μm，高度超过所述芯片晶圆的背面硅基1μm以上。

3.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述掩模图案的厚度大于所述围堰，所述掩模图案的材料为高分子材料或金属材料；

所述高分子材料包括树脂和聚酰亚胺；所述金属材料包括铜和铝。

4.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装方法，其特征在于，塑封掩模图案和填充凹槽的材料均为塑封料，所述塑封料为黑色树脂材料，其光吸收率大于90％。

5.如权利要求4所述的光电器件晶圆级封装方法，其特征在于，研磨填充凹槽的塑封料后，该塑封料覆盖所述芯片晶圆背面的硅基，并且厚度大于1μm。

6.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述去掉研磨图案的工艺包括相似相溶和腐蚀。

7.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述粘结胶的一面与所述芯片晶圆的功能层相连，另一面与所述围堰相连；

所述粘结胶为黑色，其光吸收率大于90％。

8.一种光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

玻璃盖板(101)，所述玻璃盖板(101)上制作有围堰(104)，所述围堰(104)通过粘结胶(107)与芯片晶圆(105)正面的功能层(106)键合；

所述芯片晶圆(105)背面的硅基开有凹槽(109)，所述凹槽(109)中制作有铜柱(110)并通过第二塑封料(111)塑封，所述第二塑封料(111)表面依次形成有n层再布线(112)、阻焊层(113)和凸点(114)。