[发明专利]一种环形无反射栅低插损声表滤波器有效
申请号: | 201911297570.0 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN111010142B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 董元旦;薛浩;杨涛 | 申请(专利权)人: | 成都频岢微电子有限公司 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64 |
代理公司: | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人: | 杨浩林 |
地址: | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 环形 反射 栅低插损声表 滤波器 | ||
本发明提供了一种环形无反射栅低插损声表滤波器,其为第一叉指换能器模块、第二叉指换能器模块、第三叉指换能器模块以及第四叉指换能器模块依次连接形成的环路;第一叉指换能器模块、第二叉指换能器模块、第三叉指换能器模块以及第四叉指换能器模块均包括一个或若干个级联的叉指换能器IDT;各叉指换能器IDT的声端口连接,本发明基于STW‑COM模型的Y矩阵由两个声端口和一个电端口组成的背景,将声波的传播用Y矩阵等效的思想,调用了ADS中Y3P模块,对3*3的Y矩阵进行赋值,将声源限制在叉指换能器IDT组成的环路中震荡,从而减少了能量的损耗、省略了反射栅,达到比传统结构声表滤波器更低的插损效果。
技术领域
本发明涉及声表面波滤波器领域,尤其涉及一种环形无反射栅低插损声表滤波器。
背景技术
声表面波滤波器是现代通信系统中常用的一种滤波器,它有着小型、高稳定性、抗干扰能力强、高选择性等优点。设计声表滤波器主要有δ函数模型、等效电路模型、COM模型等,其中,Hashimoto-Abbott的STW-COM模型是一种较为精确的快速仿真模型。声表滤波器在低频处的性能表现不错,但是由于漏波的影响使其在高频时的插入损耗比较大,从而在高频逐渐被体声波滤波器所替代,但是体声波滤波器在制作工艺上要求比较高,因此,寻找一种高频低插损的声表滤波器结构将是未来声表滤波器领域研究的一个重点。
发明内容
针对现有技术中的上述不足,本发明提供的一种环形无反射栅低插损声表滤波器能够将声波限制在叉指换能器端组成的环路中震荡。
为了达到以上目的,本发明采用的技术方案为:
本方案提供一种环形无反射栅低插损声表滤波器,所述环形无反射栅低插损声表滤波器为第一叉指换能器模块、第二叉指换能器模块、第三叉指换能器模块以及第四叉指换能器模块依次连接形成的环路;
所述第一叉指换能器模块、第二叉指换能器模块、第三叉指换能器模块以及第四叉指换能器模块均包括一个或若干个级联的叉指换能器IDT;
所述第一叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P3声端口与所述第二叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P1声端口连接,所述第一叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P4声端口与所述第二叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P2声端口连接,所述第二叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P3声端口与所述第三叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P1声端口连接,所述第二叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P4声端口与所述第三叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P2声端口连接,所述第三叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P3声端口与所述第四叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P1声端口连接,所述第三叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P4声端口与所述第四叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P1声端口连接,所述第四叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P3声端口与所述第一叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P1声端口连接,所述第四叉指换能器模块中最后一个叉指换能器IDT的P4声端口与所述第一叉指换能器模块中第一个叉指换能器IDT的P2声端口连接;
所述第一叉指换能器模块、第二叉指换能器模块、第三叉指换能器模块以及第四叉指换能器模块中,除第一个叉指换能器IDT外的其余叉指换能器IDT的P2声端口均与其级联的前一个叉指换能器IDT的P4声端口连接,除第一个叉指换能器IDT外的其余叉指换能器IDT的P1声端口均与其级联的前一个叉指换能器IDT的P3声端口连接。
进一步地,所述第一叉指换能器模块和第三叉指换能器模块中各叉指换能器IDT的P5电端口相连并连接输入端口;所述第一叉指换能器模块和第三叉指换能器模块中各叉指换能器IDT的P6电端口接地;
或所述第一叉指换能器模块和第三叉指换能器模块中各叉指换能器IDT的P6电端口相连并连接输入端口;所述第一叉指换能器模块和第三叉指换能器模块中各叉指换能器IDT的P5电端口接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都频岢微电子有限公司,未经成都频岢微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911297570.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。