[发明专利]粉末收集系统

说明书

本发明提供一种粉末收集系统，包括处理室、第一粉末捕集装置和真空泵，所述第一粉末捕集装置与所述处理室连通；所述真空泵与所述第一粉末捕集装置连通；所述第一粉末捕集装置包括内腔和多个隔板，所述多个隔板垂直交错设置在所述内腔内，用于将所述内腔分割成多个相互连通的区域，形成与所述内腔的进气端和出气端连通的通道，所述通道包括并联设置的第一气流通道和第二气流通道，所述内腔的进气端与所述处理室连通，所述内腔的出气端与所述真空泵连通；所述粉末收集系统还包括检测器，设置在所述内腔的出气端，用于检测气流大小，并根据检测结果判断所述第一粉末捕集装置是否需要清理。

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，尤其涉及一种粉末收集系统。

背景技术

半导体制程包括在半导体晶圆表面以硅酸四乙酯(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate,TEOS)为材料利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)沉积薄膜，和在半导体晶圆表面蚀刻电路。这些制程步骤会产生杂质粉末，而颗粒污染是处理设备对半导体晶圆进行工艺处理过程中的一个主要关心问题。为了避免避免杂质粉末在反应室里循环而造成污染，通常需在半导体制程的处理室出气口外加装粉末捕集装置。现有的粉末捕集装置中气流通道单一，容易造成粉末堵塞，并且粉末堵塞时设备不能及时发出提示信息，导致工程师需要频繁、定期清理粉末捕集装置，使得粉末捕集装置的使用周期短，降低半导体制程的生产效率。

发明内容

鉴于上述状况，有必要提供一种延长使用周期并且能提示清理时机的粉末收集系统。

一种粉末收集系统，包括：处理室，半导体晶圆放置在所述处理室内；第一粉末捕集装置，与所述处理室连通；和真空泵，与所述第一粉末捕集装置连通，用于抽气以使粉末流入所述第一粉末捕集装置；所述第一粉末捕集装置包括内腔和多个隔板，所述多个隔板垂直交错设置在所述内腔内，用于将所述内腔分割成多个相互连通的区域，形成与所述内腔的进气端和出气端连通的通道，所述通道包括并联设置的第一气流通道和第二气流通道，所述内腔的进气端与所述处理室连通，所述内腔的出气端与所述真空泵连通；所述粉末收集系统还包括检测器，设置在所述内腔的出气端，用于检测气流大小，并根据检测结果判断所述第一粉末捕集装置是否需要清理。

可选地，所述粉末收集系统包括冷却装置，所述冷却装置设置在所述第一粉末捕集装置底部，用于冷却所述第一粉末捕集装置，以降低颗粒的动能并吸引颗粒沉积在所述第一粉末捕集装置内。

可选地，所述多个隔板组成的通道呈螺旋形或涡旋形。

可选地，所述粉末收集系统包括等离子发生器，设置在在所述第一粉末捕集装置与所述处理室之间，用于部分消除从所述处理室流出的气体中的颗粒。

可选地，所述粉末收集系统还包括第二粉末捕集装置，所述第一粉末捕集装置与所述第二粉末捕集装置并联，所述第一粉末捕集装置与所述真空泵断开连接时，所述第二粉末捕集装置与所述真空泵连通。

可选地，所述隔板由磁性材料制成，用于吸附气体中的磁性颗粒或金属颗粒。

可选地，所述粉末收集系统包括过滤器，设置在所述检测器与所述真空泵之间，用于防止颗粒进入所述真空泵。

可选地，所述检测器还包括一颗粒浓度监测器，所述颗粒浓度监测器通过一连通管与所述内腔的出气端连通，通过采样气体以检测气体中的颗粒浓度。

可选地，所述粉末收集系统还包括一控制器，所述控制器与所述真空泵电连接，所述颗粒浓度监测器与所述控制器信号连接，所述控制器根据所述颗粒浓度监测器的检测结果调整所述真空泵的抽气量。

上述粉末收集系统通过设置并联的气流通道将流入第一粉末捕集装置的内腔的气流进行分流以降低内腔封堵的概率，延长使用周期，并通过在内腔的出气端设置检测器以检测气流中的颗粒浓度，实现及时提示清理粉末收集系统的目的，有效提高生产效率。