[发明专利]一种RF MEMS数字可变电容单元在审
| 申请号： | 201911298696.X | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110853924A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 王竞轩;刘泽文;肖倩;陈涛 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01G5/38 | 分类号： | H01G5/38;H01G7/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rf mems 数字 可变电容 单元 | ||
1.一种RF MEMS数字可变电容单元，包括衬底，其特征在于：所述衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极，所述地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧，所述地结构上连接有翘板式上极板，所述翘板式上极板连接有扭转梁，所述扭转梁的两侧均分布有驱动电极，所述翘板式上极板可与RF电极分别形成第一距离、第二距离和第三距离，所述RF电极上附有用以隔离翘板式上极板与RF电极的介质层。
2.根据权利要求1所述的一种RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述衬底为高阻硅衬底；或是为玻璃衬底；或是为陶瓷衬底；或是为砷化镓衬底。
3.根据权利要求1所述的一种RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述驱动电极至少为四个，两两对称分布，接近RF电极的一对驱动电极为“C+”驱动电极，远离RF电极的一对驱动电极为“C-”驱动电极。
4.根据权利要求1所述的一种RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述驱动电极包括有金属基板，所述金属基板上附着有介质层，所述介质层为氮化硅、氧化铪、氧化硅、氧化铝构成的单独层，或是多种混合层。
5.根据权利要求1所述的一种RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述翘板式上极板与扭转梁为一体构造，所述翘板式上极板以扭转梁为支点，形成翘板式可动构造。
6.根据权利要求1所述的一种RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述扭转梁分布在翘板式上极板的两侧，或是分布在翘板式上极板的内部，或是同时分布在翘板式上极板的两侧与内部。
7.根据权利要求1所述的一种RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述介质层为氮化硅、氧化铪、氧化硅、氧化铝构成的单独层，或是多种混合层。
8.根据权利要求1所述的一种RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述翘板式上极板分布有均匀的条形缝隙。
9.根据权利要1所述RF MEMS数字可变电容单元，其特征在于：翘板式上极板根据应用需求，进行级联式拓展。
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