[发明专利]一种监测装置和硅片处理装置

说明书

本发明提供一种监测装置和硅片处理装置，监测装置包括：光源，光源设置于研磨轮的一侧，研磨轮上形成有沿研磨轮的周向延伸的研磨槽，硅片的边缘置于研磨槽中以研磨硅片，光源用于向研磨轮上投射光线；屏幕，屏幕与光源间隔开设置，屏幕设在研磨轮的另一侧，光源向研磨轮上投射光线时，研磨轮在屏幕上形成投影图像。根据本发明的监测装置，通过研磨轮在屏幕上的投影图像可以监测研磨轮上的研磨槽内是否有硅屑或损坏，当研磨轮出现磨或者硅屑在研磨槽内堆积时，通过研磨轮在屏幕上的投影图像能够及时发现，及时做出调整，有效控制倒角加工质量，避免影响硅片边缘倒角的加工形状，避免造成较多硅片的加工缺陷，提高硅片的加工质量。

技术领域

本发明涉及硅片加工领域，具体涉及一种监测装置和硅片处理装置。

背景技术

晶圆作为半导体领域最基础的材料，在其表面可加工制作成各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品。大尺寸的晶圆制备工序多，工艺复杂，最终得到的单晶硅片要求表面内部无缺陷，且具有极小的平坦度、粗糙度、表面颗粒数，成本极高。其中，单晶硅片的边缘倒角研磨至关重要，硅片脆性大，硬度高，由于边沿小裂纹或裂缝会在硅片上产生机械应力，从而产生位错，造成有害玷污物的聚集与脱落，此外，边缘位错还会在高温处理或表面外延时引起边缘位错生长。倒角工艺可使得硅片边缘获得平滑的半径周线，将以上影响降到最小。

磨轮在倒角加工过程中，会出现磨轮磨损，导致金刚石颗粒的剥离，以及硅屑在槽内的堆积，严重影响硅片边缘倒角的加工形状，而这种情况在加工过程中不易检测，往往会造成较多硅片的加工缺陷，降低硅片的加工质量。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种监测装置和硅片处理装置，用以解决研磨轮在倒角加工过程中，当研磨轮出现磨损，金刚石颗粒剥离或硅屑在槽内堆积时，不易及时发现，严重影响硅片边缘倒角的加工形状，造成较多硅片的加工缺陷，降低硅片加工质量的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

第一方面，根据本发明实施例的监测装置，包括：

光源，所述光源设置于研磨轮的一侧，所述研磨轮上形成有沿所述研磨轮的周向延伸的研磨槽，硅片的边缘置于所述研磨槽中以研磨所述硅片，所述光源用于向所述研磨轮上投射光线；

屏幕，所述屏幕与所述光源间隔开设置，所述屏幕设在所述研磨轮的另一侧，所述光源向所述研磨轮上投射光线时，所述研磨轮在所述屏幕上形成投影图像。

其中，还包括：

获取模块，用于获取所述研磨轮的投影图像；

处理器，用于根据所述投影图像检测所述研磨轮是否符合预设要求。

其中，所述处理器用于将所述投影图像与预设图像比较，当所述投影图像与所述预设图像匹配时，检测为所述研磨轮符合预设要求；用于当所述投影图像与所述预设图像不匹配时，检测为所述研磨轮不符合预设要求。

其中，所述光源用于当所述硅片的边缘置于所述研磨槽中时，向所述研磨轮和所述硅片上投射光线，所述研磨轮和所述硅片在所述屏幕上形成所述研磨轮和所述硅片的投影图像。

其中，还包括：

获取模块，用于获取所述研磨轮和所述硅片的投影图像；

处理器，用于根据所述研磨轮和所述硅片的投影图像检测所述硅片与所述研磨轮的研磨槽是否对准。

其中，所述获取模块用于获取所述研磨轮的研磨槽的水平中心线和所述硅片的水平中心线；

所述处理器用于比较所述研磨槽的水平中心线和所述硅片的水平中心线是否重合，当所述研磨槽的水平中心线和所述硅片的水平中心线重合时，检测为所述硅片与所述研磨槽对准；用于当所述研磨槽的水平中心线和所述硅片的水平中心线不重合时，检测为所述硅片与所述研磨槽未对准。