[发明专利]一种具有过热保护的LED驱动电路

权利要求书

1.一种具有过热保护的LED驱动电路，其特征至于：包括误差放大器VA、误差放大器TA、二极管D1和D2以及至少一个发光二极管LED、N型场效应管Npower和检测电阻Rsense，误差放大器TA的正输入端连接温度参考基准值Tref，误差放大器TA的负输入端连接LED驱动电路芯片的温度值T_DIE，误差放大器TA的输出端连接二极管D1的负极，二极管D1的正极连接偏置电流源IBIAS的负端以及二极管D2的正极和N型场效应管Npower的栅极，偏置电流源IBIAS的正端连接电源VCC和发光二极管LED的正极，发光二极管LED的负极连接N型场效应管Npower的漏极，N型场效应管Npower的源极连接检测电阻Rsense的一端和误差放大器VA的负输入端，检测电阻Rsense的另一端接地，N型场效应管Npower的衬底与源极互连或直接接地，误差放大器VA的正输入端连接基准电压VREF，误差放大器VA的输出端连接二极管D2的负极。

2.根据权利要求1所述的具有过热保护的LED驱动电路，其特征至于：在发光二极管LED采用LED1～LEDn串联应用时，增设限流电阻Rlimit和齐纳二极管ZD，限流电阻Rlimit的一端连接电源VCC，限流电阻Rlimit的另一端连接齐纳二极管ZD的负极，齐纳二极管ZD的正极接地，误差放大器TA的正输入端连接基准温度Tref，温度误差放大器TA的负输入端连接芯片温度T_DIE，误差放大器TA的输出端连接二极管D1的负极，二极管D1的正极连接偏置电流源IBIAS的负端以及二极管D2的正极和N型场效应管Npower的栅极，偏置电流源IBIAS的正端连接限流电阻Rlimit与齐纳二极管ZD的连接端，电源VCC连接发光二极管LED1的正极，LED1的负极连接LED2的正极，LED2的负极连接LED3的正极，LED3的负极连接…LEDn的正极，LEDn的负极连接N型场效应管Npower的漏极，N型场效应管Npower的源极连接检测电阻Rsense的一端和电压误差放大器VA的负输入端，检测电阻Rsense的另一端接地，N型场效应管Npower的衬底与源极互连或直接接地，误差放大器VA的正输入端连接基准电压VREF，误差放大器VA的输出端连接二极管D2的负极。

3.根据权利要求1或2所述的具有过热保护的LED驱动电路，其特征在于：所述LED驱动电路芯片的温度值T_DIE是通过检测与芯片温度相关的电压得到的，采用双极晶体管的基级和发射极Vbe电压作为芯片温度值T_DIE；所述温度参考基准值Tref采用零温度系数的基准电压VT作为温度参考基准值。