[发明专利]基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的导电玻璃衬底、介电层、半导体层、上金属电极，所述上金属电极包括源电极和漏电极，所述介电层材料为氧化锆和氧化镧的混合氧化物。

2.根据权利要求1所述的基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件，其特征在于，所述导电玻璃衬底的导电材料为铟锡氧或氟锡氧。

3.根据权利要求1所述的基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件，其特征在于，所述上金属电极为铟锡氧或氟锡氧。

4.一种基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：将0.5-2.5 mol/L前驱体溶液旋涂在导电玻璃衬底上，所述前驱体溶液为金属锆的硝酸盐或氯盐中掺杂金属镧的硝酸盐或氯盐，旋涂速度为3000-5500转/秒，旋涂时间为20-60s；

S02：将旋涂好前驱体溶液的导电玻璃衬底置于热板上退火形成介电层，退火温度为150-300℃，退火时间为40-80分钟；

S03：制备半导体层；

S04：沉积上金属电极。

5.根据权利要求4所述的基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S01之前还包括清洗导电玻璃衬底，包括：

将导电玻璃衬底完全浸入肥皂水中超声清洗15-30分钟，然后将导电玻璃衬底完全浸入丙醇中超声清洗15-30分钟，最后将导电玻璃衬底完全浸入异丙醇中超声清洗15-30分钟，用去离子水冲洗导电玻璃衬底去除残留的杂质并用氮气吹干；

用空气等离子体对导电玻璃衬底进行15-45分钟表面处理。

6.根据权利要求4所述的基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S03制备半导体层，包括：

将半导体前驱体药品溶于水溶液中，制得浓度为0.5-2.5mol/L半导体前驱体溶液；所述半导体前驱体药品为半导体层的金属氧化物对应的金属硝酸盐；

将半导体前驱体溶液超声震荡15-60分钟；

将半导体前驱体溶液旋涂在制备好的介电层上，旋涂速度为3000-5500转/秒，旋涂时间为20-60s。

7.根据权利要求4所述的基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件的制备方法，所述步骤S01中掺杂金属镧的硝酸盐或氯盐的浓度占总浓度的比例为0-50%。