[发明专利]基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法

权利要求书

1.一种基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：以1000-6000RPM的转速在衬底上旋涂双元高介电常数绝缘层前驱体源，所述双元高介电常数绝缘层前驱体源为硝酸盐或氯化盐与乙酰丙酮盐的2-巯基乙醇、乙醇或水溶液；

S02：在空气中进行预退火处理，退火时间为10-60min，退火温度为80-300℃；

S03：进行后退火处理，在200℃-300℃的空气中进行后退火处理或进行1-60min的深紫外光处理或紫外臭氧处理，得到自燃烧双元高介电常数绝缘层。

2.根据权利要求1所述的基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法，其特征在于，所述步骤S01中还包括双元高介电常数绝缘层前驱体源的制备步骤，包括，将硝酸盐或氯化盐和乙酰丙酮盐溶于去离子水，乙醇或2-巯基乙醇溶液中，硝酸盐或氯化盐和乙酰丙酮盐的摩尔比为0.01~10：1；

进行0.1-24小时的磁力搅拌或超声搅拌，过滤得到双元高介电常数绝缘层前驱体溶液。

3.根据权利要求1所述的基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法，其特征在于，所述步骤S01之前还包括衬底的清洗处理以及表面处理：先用丙酮超声清洗衬底1-30min，再用乙醇超声清洗衬底1-30min，最后去离子水冲洗，氮气吹干后将衬底进行10-60明的表面清水处理，处理方式为深紫外光、紫外臭氧、氧等离子或空气等离子表面清水处理中的一种。

4.根据权利要求1所述的基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法，其特征在于，所述硝酸盐为硝酸铝、硝酸镓、硝酸钇、硝酸钕、硝酸镧、硝酸钪，硝酸锆、硝酸氧锆中的一种，所述硝酸盐摩尔浓度为0.01-3mol/L；所述氯化盐为氯化铝、氯化镓、氯化钇、氯化钕、氯化镧、氯化钪、氯化锆、氯氧化锆中的一种，所述氯化盐摩尔浓度为0.01-3mol/L。

5.根据权利要求1所述的基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法，其特征在于，所述乙酰丙酮盐为乙酰丙酮铝、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮钇、乙酰丙酮钕、乙酰丙酮镧、乙酰丙酮钪、乙酰丙酮锆的一种，所述乙酰丙酮盐摩尔浓度为0.01-3mol/L。

6.一种基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括绝缘衬底，所述绝缘衬底上依次设置有栅电极，双元高介电常数绝缘层，金属氧化物半导体层；所述金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极，所述双元高介电常数绝缘层采用权利要求1-5任一项所述的基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法制备。

7.一种基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S11：在绝缘衬底的上表面形成栅电极；

S12：采用权利要求1-5任一项所述的基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法在步骤S11的基础上制备双元高介电常数绝缘层；

S13：制备金属氧化物半导体层；

S14：在金属氧化物半导体层上分别形成源电极和漏电极。

8.根据权利要求7所述的基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S13中采用溶液法沉积金属氧化物半导体层，包括：

S31：以1000-6000RPM的转速旋涂金属氧化物半导体前驱体源，所述金属氧化物半导体前驱体源为金属氧化物水溶液，所述属氧化物半导体为氧化铟、氧化锌、氧化锡、锌锡氧、铟镓锌氧、铟锌氧中的一种；

S32：在空气中进行预退火处理，退火时间为10-60 min，退火温度为80-300℃；

S33：进行后退火处理，在200℃-300℃的空气中进行后退火处理或进行1-60min的深紫外光处理或紫外臭氧处理，得到金属氧化物半导体层。