[发明专利]存储单元装置和用于运行存储单元装置的方法

权利要求书

1.一种存储单元装置，具有：

至少一个存储单元；

在所述至少一个存储单元和参考电势之间连接的第一开关；

开关操控逻辑装置，所述开关操控逻辑装置配置为，选择性地通过激活或禁用所述开关操控逻辑装置的第一子电路将所述第一开关置于至少三个运行状态中的一个运行状态中：

·接通状态；

·关断状态，和

·传导状态，在所述传导状态中，电导率小于在所述接通状态中而高于在所述关断状态中。

2.根据权利要求1所述的存储单元装置，还具有：

在所述至少一个存储单元和所述参考电势之间连接的第二开关；

其中所述开关操控逻辑装置还配置为，选择性地通过激活或禁用所述开关操控逻辑装置的第二子电路将所述第二开关置于至少三个运行状态中的一个运行状态中：

·接通状态；

·关断状态；和

·传导状态，在所述传导状态中，电导率小于在所述接通状态中而高于在所述关断状态中。

3.根据权利要求1或2所述的存储单元装置，

还具有：

在所述至少一个存储单元和所述参考电势之间连接的第三开关；

其中所述开关操控逻辑装置还配置为，将所述第三开关选择性地置于刚好两个运行状态中的一个运行状态中：

·接通状态；和

·关断状态。

4.根据权利要求2或3所述的存储单元装置，

其中处于传导状态中的第一开关比处于传导状态中的第二开关具有更高的电导率。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储单元装置，

其中所述第一开关具有第一场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的存储单元装置，

其中所述第一场效应晶体管的传导状态是所述第一场效应晶体管的二极管模式状态。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的存储单元装置，

其中所述第二开关具有第二场效应晶体管。

8.根据权利要求7所述的存储单元装置，

其中所述第二场效应晶体管的传导状态是所述第二场效应晶体管的二极管模式状态。

9.根据权利要求7或8所述的存储单元装置，

其中所述第一场效应晶体管与所述第二场效应晶体管相比具有更大的晶体管宽度。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的存储单元装置，

其中所述第一场效应晶体管与所述第二场效应晶体管相比具有更低的阈值电压。

11.根据权利要求5至10中任一项所述的存储单元装置，

其中所述第一场效应晶体管具有第一栅极，

其中所述开关操控逻辑装置具有第一栅极控制电路，所述第一栅极控制电路配置为，在接通状态中将所述第一栅极与正电压供应端子连接，在关断状态中将所述第一栅极与接地端子连接，和在传导状态中将所述第一栅极与虚拟电压供应端子连接。

12.根据权利要求11所述的存储单元装置，

·其中所述第一场效应晶体管是NFET晶体管；并且

·其中所述虚拟电压供应端子是接地端子。

13.根据权利要求5至10中任一项所述的存储单元装置，

·其中所述第一场效应晶体管具有第一栅极，

·其中所述开关操控逻辑装置具有栅极控制电路，所述栅极控制电路配置为，在接通状态中将所述第一栅极与接地端子连接，在关断状态中将所述第一栅极与正电压供应端子连接，和在传导状态中将所述第一栅极与虚拟电压供应端子连接。