[发明专利]一种铜铟硒纳米片的制备方法有效
申请号: | 201911300655.X | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN111071997B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 马元良;陈许龙 | 申请(专利权)人: | 青海民族大学 |
主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 瞿晓晶 |
地址: | 810007 青海省*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜铟硒 纳米 制备 方法 | ||
本发明涉及铜铟硒材料的制备技术领域,尤其涉及一种铜铟硒纳米片的制备方法。本发明提供的制备方法,以维生素C为辅助剂,以二甲基甲酰胺为媒介剂,以氯化亚铜为铜源、氯化铟为铟源、以硒粉为硒源,采用热注入法制备铜铟硒纳米片,通过辅助剂的改变以及媒介剂的引入,使得整个制备过程在氮气气氛中实现了材料的绿色制备。具体的,二甲基甲酰胺作为媒介剂主要用于溶解氯化亚铜,使其不仅具有还原剂的辅助作用,还具有输送铜源的作用。使得所述制备方法具有绿色、安全和经济的特点。
技术领域
本发明涉及铜铟硒材料的制备技术领域,尤其涉及一种铜铟硒纳米片的制备方法。
背景技术
铜铟硒(CuInSe2,简写为CISe)作为一种金属硫族三元半导体材料,具有优异的光学、电学和磁学性能,在太阳能电池、离子导体、热电元件等领域有广泛的应用。CISe具有四方黄铜矿(α–CISe)和立方(δ–CISe)两种晶型。其中,通常用作太阳能电池吸收层材料的CISe为四方黄铜矿结构,属于四方晶系,晶胞参数为Cu-Se键键长和In-Se键键长分别为
一直以来,CISe材料的制备通常采用真空法,包括多元共蒸发法、溅射法、连续蒸发法等。但是真空制备方法对于设备的要求很高,过程复杂,同时制备大面积薄膜时,对于薄膜材料的均匀性和化学计量比也难以控制,使得CISe薄膜的制备成本偏高,限制了其大范围工业化的应用。为了降低其生产成本,同时改善薄膜性能,人们开始着手于非真空、溶液法制备方法。目前,人们经常采用的非真空制备方法主要有化学浴沉积、电沉积、连续离子层沉积和纳米晶胶体墨水法等。纳米晶胶体墨水法包括两步工艺,首先需要选择合适的条件和方法合成出纳米粒子;然后在将纳米粒子分散在有机溶剂中,制成胶体墨水,再通过浸渍-提拉、旋涂、喷墨打印等薄膜制备方法制备出薄膜材料,最后进行热处理工艺。
胶体墨水法采用溶液法合成纳米粒子,不需要真空环境,制备工艺简单,降低了薄膜材料的生产成本;另外,薄膜的均匀性、成分、化学剂量比也较好。因此,纳米晶墨水法是一种非常具有发展前景的制备高质量CISe薄膜的新工艺,值得进行大量的研究。
目前,以胶体墨水法制备CISe光吸收层材料针对材料的合成主要采用热注入法,所述热注入法主要以水合肼、乙二胺、油氨等有毒有害的高危化学药品作为辅助剂在200~300℃左右合成CISe纳米粒子,但这些制备工艺都涉及到水合肼等高危还原剂的使用,制备过程不仅对环境造成污染,而且对制备设备要求高、对生产者产生身体伤害等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铜铟硒纳米片的制备方法,所述制备方法绿色、安全、经济。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种铜铟硒纳米片的制备方法,包括以下步骤:
将可溶性铜盐、可溶性铟盐和二甲基甲酰胺混合,得到阳离子前驱体溶液;将维生素C、硒粉和三乙二醇混合,加热,得到阴离子前驱体溶液;
将所述阳离子前驱体溶液注入所述阴离子前驱体溶液中,进行保温回流,得到所述铜铟硒纳米片。
优选的,所述可溶性铜盐中的铜和所述可溶性铟盐中的铟的摩尔比为(0.5~1.0):(0.5~1.0)
所述阳离子前驱体溶液中的铜离子和铟离子的总浓度为0.0625~0.25mol/L。
优选的,所述维生素C的质量和硒粉的物质的量之比为(0.1~0.3)g:(1~2)mmol。
优选的,所述硒粉与所述可溶性铜盐中的铜的摩尔比为(2~4):(1~2)。
优选的,所述硒粉的物质的量与所述三乙二醇的体积比为(1~2)mmol:(30~40)mL。
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