[发明专利]一种桥驱动电路的防反电路

说明书

本申请公开了一种桥驱动电路的防反电路，该防反电路包括桥驱动电路和防反电路，防反电路包括第一电阻、第一电容和第一MOS管；其中，第一MOS管的源极与电压源相连，第一MOS管的漏极与桥驱电路相连，第一电阻和第一电容并联形成RC并联电路，且RC并联电路一端与电压源连接，另一端与第一MOS管的栅极连接。本发明解决了二极管防反电路发热量大的问题，并且有效保证了电路的防反接。

技术领域

本申请涉及电路设计领域，具体涉及一种桥驱动电路的防反电路。

背景技术

桥驱电路包括半桥驱动电路、H桥驱动电路、三相全桥驱动电路和多项全桥驱动电路。桥驱电路有着共同的特点，都至少需要一个上桥臂和下桥臂。在大电流桥驱电路中桥臂的开关管多使用N-MOSFET或IGBT，由于N-MOSFET和IGBT中存在体二极管，所以如果电源反接，会造成体二极管直接导通，导致过流损坏。然而，一般电路的防反方式多采用功率二极管，如果桥驱电路的电流特别大，就会导致二极管发热量过大，进而造成损坏。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出了一种桥驱动电路的防反电路，以便解决或者至少部分解决上述存在的技术问题。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供一种桥驱动电路的防反电路，所述防反电路包括桥驱动电路和防反电路，所述防反电路包括第一电阻、第一电容和第一MOS管；

其中，所述第一MOS管的源极与电压源相连，所述第一MOS管的漏极与所述桥驱电路相连，所述第一电阻和所述第一电容并联形成RC并联电路，且所述RC并联电路一端与电压源连接，另一端与所述第一MOS管的栅极连接。

优选的，所述防反电路还包括电源驱动电路，所述电源驱动电路为所述桥驱动电路的导通提供驱动电源。

优选的，所述电源驱动电路包括若干个二极管和控制开关，所述二极管连接在所述RC并联电路和所述第一MOS管的栅极的连接线上。

优选的，所述桥驱电路包括如下的任一种：半桥驱动电路、H桥驱动电路、三相全桥驱动电路和多项全桥驱动电路。

优选的，所述H桥驱动电路包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中，所述第二MOS管和所述第三MOS管为上桥臂，所述第四MOS管和所述第五MOS管为下桥臂；

所述电源驱动电路中的二极管包括第一二极管和第二二极管，且所述第一二极管和所述第二二极管的负极与第一MOS管的栅极连接，所述第一二极管的正极与所述第二MOS管和所述第五MOS管的栅极连接，所述第二二极管的正极与所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极连接。

优选的，所述MOS管为N-MOSSET管。

本发明的有益效果是：

与现有技术相比，通过在电压源的位置设置一个MOS管，可以有效防止电源反接，同时解决了二极管防反电路发热量大的问题；通过在MOS管的栅极上设置一个电容，保证了MOS管导通状态更稳定。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。在附图中：

图1示出了本发明一个实施例提供的H桥驱动电路的防反电路的原理框图；

图2示出了本发明一个实施例提供的半桥驱动电路的原理框图；