[发明专利]硅鳍片结构的修整方法

权利要求书

1.一种硅鳍片结构的修整方法，其特征在于包含以下步骤：

(a)在基材上形成硅鳍片结构；及

(b)使所述硅鳍片结构与极性溶液接触，以使所述硅鳍片结构的(100)晶面的蚀刻速率与(111)晶面的蚀刻速率的比值范围不大于2.5、(110)晶面的蚀刻速率与(111)晶面的蚀刻速率的比值范围不大于2.5，以及(100)晶面的蚀刻速率与(110)晶面的蚀刻速率的比值范围介于0.9至1.1，所述极性溶液包括四级铵氢氧化物、水及极性有机溶剂，所述极性有机溶剂是选自于二甲基亚砜、环丁砜、四氢呋喃、N-甲基咯烷酮或上述的任意组合。

2.根据权利要求1所述的硅鳍片结构的修整方法，其特征在于，所述四级铵氢氧化物是选自于四甲基铵氢氧化物、四乙基铵氢氧化物、四丁基铵氢氧化物、苄基三甲基铵氢氧化物或上述的任意组合。

3.根据权利要求1所述的硅鳍片结构的修整方法，其特征在于，所述极性溶液还包括阳离子界面活性剂。

4.根据权利要求3所述的硅鳍片结构的修整方法，其特征在于，所述阳离子界面活性剂是选自于四级氯化物、聚乙二醇的铵盐或上述的任意组合。

5.根据权利要求3所述的硅鳍片结构的修整方法，其特征在于，以所述极性溶液的总量为100wt％，所述阳离子界面活性剂的含量比例范围为0.01wt％至2wt％。

6.根据权利要求1所述的硅鳍片结构的修整方法，其特征在于，以所述极性溶液的总量为100wt％，所述四级铵氢氧化物的含量比例范围为0.1wt％至5wt％。

7.根据权利要求1所述的硅鳍片结构的修整方法，其特征在于，以所述极性溶液的总量为100wt％，所述极性有机溶剂的含量比例范围为5wt％至90wt％。