[发明专利]一种铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜及其原位制备方法与应用

权利要求书

1.一种铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜的原位制备方法，其特征在于包括：

提供铜基底并置于化学气相生长设备的反应室内；

向所述反应室内通入碳源气体和氢气，通过化学气相沉积法在所述铜基底表面生长形成石墨烯层；

之后向所述反应室内通入氟气和载气，从而对所述石墨烯层进行原位氟化刻蚀处理，获得铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜，其中进行氟化刻蚀处理时，反应室内的温度为20～200℃，氟化刻蚀处理的时间为5～100min。

2.根据权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于包括：

将铜基底置于所述反应室内并使所述反应室升温至600～1000℃，保持所述反应室内的压力为50～80Pa。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述碳源气体与氢气的体积比为1:50～1:10；

和/或，所述碳源气体包括CH₄。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述载气包括惰性气体；

和/或，所述氟气与载气的体积比为1:20～1:1；

和/或，所述制备方法还包括：先对所述铜基底进行超声清洗处理，干燥后再置于所述反应室内。

5.权利要求1-4中任一项所述方法制备的铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜，其特征在于，所述铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜中F元素含量为0-50％。

6.权利要求1所述的铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜于基体表面防护领域的用途。