[发明专利]磁阻随机存取存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻随机存取存储器装置，包括：

第一导电图案，其包括产生自旋轨道转矩的材料；

转矩传递图案，其与所述第一导电图案的上表面的一部分相接触；

绝缘图案，其在所述转矩传递图案的侧部并覆盖所述第一导电图案；以及

在所述转矩传递图案上的磁性隧穿结结构，所述磁性隧穿结结构包括按顺序堆叠的自由层图案、隧穿势垒图案和固定层图案。

2.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述第一导电图案包括水平磁性材料。

3.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述第一导电图案包括Pt、Ta、W、Hf、Ir、CuBi、CuIr和AuW中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述第一导电图案的厚度为至

5.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述转矩传递图案包括其电阻小于所述第一导电图案的电阻的金属。

6.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述磁性隧穿结结构覆盖所述转矩传递图案的上表面。

7.根据权利要求6所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述磁性隧穿结结构的下表面的第一宽度等于或大于所述转矩传递图案的上表面的第二宽度。

8.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述绝缘图案包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。

9.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述转矩传递图案的上表面与所述绝缘图案的上表面相互共面。

10.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述第一导电图案具有在平行于所述第一导电图案的上表面的第一方向上延伸的线形。

11.根据权利要求10所述的磁阻随机存取存储器装置，还包括在所述磁性隧穿结结构上且与所述固定层图案电连接的第二导电图案，所述第二导电图案具有在第二方向上延伸的线形，所述第二方向垂直于所述第一方向且平行于所述第一导电图案的上表面。

12.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述第一导电图案具有孤立的图案形状，并且所述第一导电图案的纵向是与所述第一导电图案的上表面平行的第一方向。

13.根据权利要求12所述的磁阻随机存取存储器装置,还包括：

上导电线，其与所述第一导电图案电连接；以及

第一晶体管，其与所述第一导电图案电连接。

14.根据权利要求12所述的磁阻随机存取存储器装置，还包括：第二晶体管，其与所述磁性隧穿结结构的固定层图案电连接。

15.一种磁阻随机存取存储器装置，包括：

第一导电图案，其包括产生自旋轨道转矩的材料；

转矩传递图案，其与所述第一导电图案的上表面的一部分相接触，所述转矩传递图案在竖直方向上从所述第一导电图案的上表面突出；

磁性隧穿结结构，其位于所述转矩传递图案上，所述磁性隧穿结结构包括顺序堆叠的自由层图案、隧穿势垒图案和固定层图案，并且所述自由层图案与所述转矩传递图案的上表面相接触。

16.根据权利要求15所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述第一导电图案包括水平磁性材料。

17.根据权利要求15所述的磁阻随机存取存储器装置，其中，所述转矩传递图案包括其电阻小于所述第一导电图案的电阻的金属。