[发明专利]图像传感器、像素传感器与其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

光电探测器，设置在半导体衬底中；

浮动扩散节点，设置在所述半导体衬底中且位于所述光电探测器上方；以及

传输栅极电极，上覆在所述光电探测器上，其中所述传输栅极电极具有顶部导电本体及底部导电本体，所述顶部导电本体上覆在所述半导体衬底的顶表面上，所述底部导电本体从所述顶部导电本体延伸到所述浮动扩散节点下方，其中所述顶部导电本体的一部分直接上覆在所述浮动扩散节点上，其中所述顶部导电本体的第一侧壁是实质上直的线且包括在相对的外侧段之间延伸的内侧段，其中所述内侧段直接上覆在所述底部导电本体上且所述相对的外侧段直接上覆在所述浮动扩散节点上。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述底部导电本体部份地直接上覆在所述浮动扩散节点的上表面上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述顶部导电本体包括与所述顶部导电本体的所述第一侧壁相对的第二侧壁，其中在远离所述浮动扩散节点的方向上，所述顶部导电本体的所述第二侧壁相对于所述底部导电本体的一侧壁在侧向上偏置开非零距离。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述顶部导电本体当从上方观察时具有第一形状，且所述底部导电本体当从上方观察时具有第二形状，其中所述第一形状不同于所述第二形状。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一形状是五边形且所述第二形状是矩形。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

导电接触件，上覆在所述浮动扩散节点上；

其中所述导电接触件与所述底部导电本体之间的最短距离小于所述导电接触件与所述顶部导电本体之间的最短距离。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，与所述浮动扩散节点直接相邻的所述底部导电本体的边缘是弯曲的。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

侧壁间隔件结构，环绕所述顶部导电本体，其中所述侧壁间隔件结构直接接触所述底部导电本体的顶表面。

9.一种像素传感器，其特征在于，包括：

光电探测器，设置在半导体衬底中；

浮动扩散节点，设置在所述半导体衬底中，其中所述浮动扩散节点的底表面位于所述光电探测器的顶表面上方；

导电接触件，上覆在所述浮动扩散节点上；以及

垂直晶体管，上覆在所述光电探测器上且邻接所述浮动扩散节点，其中所述垂直晶体管包括上覆在垂直栅极介电质上的垂直栅极电极，其中所述垂直栅极电极具有相对于所述浮动扩散节点的顶表面升高的上导电结构且还具有下导电结构，所述下导电结构从与所述浮动扩散节点的所述顶表面齐平延伸到相对于所述浮动扩散节点的所述底表面凹陷的位置，其中所述上导电结构的至少一部分直接上覆在所述浮动扩散节点上，且其中所述上导电结构与所述导电接触件之间的第一最短最小距离大于所述下导电结构与所述导电接触件之间的第二最短最小距离，其中所述下导电结构的圆隅角与所述浮动扩散节点的圆隅角共形。

10.根据权利要求9所述的像素传感器，其特征在于，所述下导电结构的所述圆隅角上覆在所述浮动扩散节点的圆隅角上。

11.根据权利要求10所述的像素传感器，其特征在于，在远离所述浮动扩散节点的方向上，所述上导电结构的第一外侧壁相对于所述下导电结构的所述圆隅角在侧向上偏置开非零距离。

12.根据权利要求9所述的像素传感器，其特征在于，还包括：

侧壁间隔件，环绕所述上导电结构的外侧壁，其中所述侧壁间隔件直接接触所述下导电结构的顶表面。