[发明专利]一种结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置和方法

权利要求书

1.一种利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：具体步骤为：

在基质托盘内放入基质固体，将沉积玻片与样品架通过扎带固定；

打开抽真空装置，达到设置真空度时关闭抽真空装置；

开启水泵，达到预定制冷温度时关闭水泵；

抽真空后打开加热元件，达到设定温度后，使加热元件恒温加热基质托盘；

沉积后关闭加热元件，关闭抽真空装置；

结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置，包括升华容器、冷却管道、回流管道、抽真空装置及升华容器内部的沉积玻片、样品架、基质托盘、制冷元件、加热元件，加热元件放置在升华容器的底部，基质托盘设置在加热元件的顶部，沉积玻片通过样品架固定在基质托盘的正上方，样品架的顶部放置制冷元件，冷却管道、回流管道分别与制冷元件连接，抽真空装置与升华容器连接；

基质托盘与沉积玻片之间的距离为10-20厘米；

制冷的温度为-15--5℃。

2.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：制冷元件的顶部设置铜臂，铜臂的上端穿过升华容器的顶部，与升华容器固定连接，所述铜臂为实心的铜质材质，形状为圆柱型或方型。

3.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：抽真空装置与升华容器通过连接管连接，升华容器为不锈钢材质，所述连接管为塑料材质。

4.根据权利要求3所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：连接管伸出升华容器的一端与数字真空计连接。

5.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：升华容器的外侧，冷却管道与水泵连接，回流管道与蓄水池连接。

6.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：升华容器的外侧设置制冷温度控制器，制冷温度控制器与升华容器内部的制冷元件连接，在升华容器的外侧，制冷温度控制器与水泵连接。

7.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：制冷温度控制器包括温度控制器和热电偶、固态继电器，热电偶、固态继电器分别与温度控制器连接；热电偶探测到腔体温度传回温度控制器，温度控制器通过调节固态继电器调节腔体温度，热电偶的一端与样品架接触； 制冷温度控制器通过热电偶实时传输的温度进行PID运算，将运算值通过传感器控制水泵的开启，从而精密的控制样品架的温度。

8.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：升华容器的外侧设置加热温度控制器，加热温度控制器分别与加热元件、基质托盘连接。

9.根据权利要求8所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：加热温度控制器包括温度控制器和热电偶、固态继电器，热电偶、固态继电器分别与温度控制器连接，热电偶的一端与基质托盘相接触；热电偶探测到腔体温度传回温度控制器，温度控制器通过调节固态继电器调节腔体温度。

10.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：升华容器包括两端开口的管腔和管腔两端的盲板法兰，两个盲板法兰分别与管腔密封连接，铜臂与管腔顶部的盲板法兰连接。

11.根据权利要求1所述的利用结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置进行基质沉淀的方法，其特征在于：基质托盘与沉积玻片之间的距离为14-16厘米。