[发明专利]一种基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法

权利要求书

1.一种基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

A：将氧化铪材料装填在坩埚底部，2-3mm，然后在上面填充3mm金属铪；

B：将坩埚放入镀膜机，进行预熔，预熔后金属铪收缩，底部和氧化铪熔为一体；

C：将材料取出，底部坩埚边缘和金属铪之间再次填入氧化铪2-3mm，上面填入金属铪；

D：再次将坩埚预熔，取出后在坩埚边缘和金属铪之间填入氧化铪，坩埚中心填入金属铪，反复直到材料表面和坩埚表面齐平。

2.如权利要求1所述的基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法，其特征在于，所述金属铪采用纯度为99.5％以上的高纯金属铪，其中金属锆的含量小于0.25％。

3.如权利要求2所述的基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法，其特征在于，所述氧化铪采用纯度为99.5％以上的高纯氧化铪，其中氧化锆的含量小于0.25％。

4.如权利要求3所述的基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法，其特征在于，所述坩埚预熔时，采用射频源低压放电离化氧，射频源的放电室应采用高纯石英熔烧制，纯度为光谱纯99.99％，放电室内采用侧面或底部射频源线圈产生电离。

5.如权利要求4所述的基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法，其特征在于，所述放电室内，射频源上方设置挡板，在工作时挡板将离子流挡住，不轰击到基片上。

6.如权利要求5所述的基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法，其特征在于，所述放电室内，离子源工作气体为纯度99.99％-99.999％的高纯氧。

7.如权利要求6所述的基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法，其特征在于，所述放电室内，离子源工作时加速电压低于500V-600V，离子流电压低于500V-600V。