[发明专利]一种基于二(并二噻吩)并六元杂环的受体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种二（并二噻吩）并六元杂环，其特征在于，具有如式6所示的结构：

其中，R为C₁-C₃₀的烷基、烷基苯基中的任意一种。

2.一种基于二（并二噻吩）并六元杂环的小分子受体材料，其特征在于，具有如式9所示的结构：

其中，R为C₁-C₃₀的烷基、烷基苯基中的任意一种，π为π桥，A为拉电子基团；

所述π桥为如下基团中的任意一种：

；

所述拉电子基团A为如下基团中的任意一种：

；

其中，π桥结构中的R₁为C₁-C₃₀的烷基中的任意一种；拉电子基团A中的R₂为卤素。

3.一种权利要求1所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将TMSCl加入LDA中，然后将化合物1加入TMSCl与LDA的混合体系中反应；最后加入淬灭剂淬灭反应，反应液经后处理得化合物2；

；

S2：将化合物2加入烷基锂反应，再加入ZnCl₂反应；然后将化合物3和Pd(PPh₃)₄或Pd(C₂H₃O₂)₄加入上述反应体系中反应，反应液经后处理得化合物4；

；

S3：将化合物4加入BBr₃反应，低温下加入有机醇至大量固体析出，然后将所得固体与PTSA反应，反应液经后处理得到化合物5；

；

S4：于化合物5中加入锂试剂或格式试剂反应，反应液经后处理得到中间产物，之后与PTSA反应，反应液经后处理得到化合物6；

。

4.根据权利要求3所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，S1步骤的反应条件为：惰性气体氛围下，室温反应过夜。

5.根据权利要求3所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，将TMSCl加入LDA中的温度为-90^oC～-70^oC。

6.根据权利要求3所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，加入TMSCl的方式为逐滴滴加。

7.根据权利要求3所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，淬灭剂淬灭反应的温度为-90℃～-60℃。

8.根据权利要求3所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，化合物1、LDA和TMSCl反应的摩尔比为1:1-1.2:2-2.2。

9.根据权利要求3或4所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，S2步骤的反应在惰性气体氛围下进行。

10.根据权利要求3或4所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，S2步骤中加入烷基锂反应的温度为-90^oC～-60^oC。

11.根据权利要求3或4所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，S2步骤中加入烷基锂的方式为逐滴滴加。

12.根据权利要求3或4所述的二（并二噻吩）并六元杂环的制备方法，其特征在于，S2步骤中加入ZnCl₂反应的温度为室温。