[发明专利]陶瓷器件及其制备方法

说明书

本申请公开一种陶瓷器件及其制备方法。其中，陶瓷器件的制备方法包括：将陶瓷材料压制为陶瓷生坯；在陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结陶瓷生坯和高烧结温度生坯块，其中，高烧结温度生坯块的烧结温度大于陶瓷生坯的烧结温度；烧结完成后，去除高烧结温度生坯块，得到烧结后的陶瓷器件。在烧结过程中，烧结温度达到陶瓷生坯的烧结温度时，还未达到高烧结温度生坯块的烧结温度，高烧结温度生坯块阻碍了陶瓷生坯在烧结过程中的收缩。且由于高烧结温度生坯块与陶瓷生坯同为生坯块，高烧结温度生坯块对陶瓷生坯相互接触面的阻碍收缩能力强，陶瓷生坯烧结完成后的陶瓷器件的表面平整度高。

技术领域

本申请属于陶瓷材料制备技术领域，具体涉及陶瓷器件及其制备方法。

背景技术

微波介质陶瓷材料是一种新型功能电子陶瓷，具有介电常数高、损耗低、频率温度系数小等特点，用这种微波介质陶瓷材料可以制成介质谐振器、双工器、介质滤波器等器件，广泛应用于移动通信基站、直放站、雷达、卫星定位导航系统等众多领域，以满足上述基站天馈系统中滤波单元小型化和低损耗等高性能指标的需要。

一般来说，5G基站用微波介质陶瓷材料收缩率大约为15～20％左右。因粉体流动性差异、干压成型压制力一致性、高温烧结时温场均匀性等因素影响，较大的收缩率使得最终5G器件成瓷后因烧结变形，尺寸精度低、平面度差。

发明内容

本申请提供陶瓷器件及其制备方法，以解决传统陶瓷材料收缩率大、易因烧结变形，尺寸精度低、平面度差的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种陶瓷器件的制备方法，包括：将陶瓷材料压制为陶瓷生坯；在所述陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结所述陶瓷生坯和所述高烧结温度生坯块，其中，所述高烧结温度生坯块的烧结温度大于所述陶瓷生坯的烧结温度；烧结完成后，去除所述高烧结温度生坯块，得到烧结后的陶瓷器件。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种陶瓷器件，所述陶瓷器件的收缩率在0.8％以下，所述陶瓷器件的平面度在0.03mm以下。

本申请的有益效果是：区别于现有技术，通过在陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结陶瓷生坯和高烧结温度生坯块，且高烧结温度生坯块的烧结温度大于陶瓷生坯的烧结温度，从而在烧结过程中，烧结温度达到陶瓷生坯的烧结温度时，还未达到高烧结温度生坯块的烧结温度，高烧结温度生坯块与陶瓷生坯相互接触的表面之间具有一定的粘接作用，阻碍了该面上陶瓷生坯在烧结过程中的收缩。且由于高烧结温度生坯块与陶瓷生坯同为生坯块，高烧结温度生坯块对陶瓷生坯相互接触面的阻碍收缩能力强；在陶瓷生坯的烧结过程中，由于高烧结温度生坯块未达烧结温度，其表面保持压制完成时的平整度，从而陶瓷生坯烧结完成后的陶瓷器件的表面平整度高，更光滑。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请的一种陶瓷器件的制备方法一实施例的流程示意图；

图2是本申请的一种陶瓷器件的制备方法一实施例的结构示意图；

图3是本申请的一种陶瓷器件的制备方法又一实施例的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。