[发明专利]一种双面对称钝化硅片表面复合电流密度分布的测试方法

权利要求书

1.一种双面对称钝化硅片表面复合电流密度分布的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括如下步骤：

制备双面对称钝化硅片；

测试所述双面对称钝化硅片的厚度和对测试波段光的反射率；

测试iVoc和PL：在不同强度的光照条件下，测试所述双面对称钝化硅片的待测区域的过剩载流子浓度△n和平均发光强度PL，根据△n计算得出隐式开路电压iVoc值；

建立线性关系：根据得到的iVoc值和PL值，建立iVoc与ln(PL)之间的线性关系式iVoc＝a·ln(PL)+b；

计算J0_ij：光照所述双面对称钝化硅片，测试所述双面对称钝化硅片上任一区域(i,j)的发光强度PL_ij，根据关系式iVoc_ij＝a·ln(PL_ij)+b和PL_ij值计算得到所述双面对称钝化硅片表面的复合电流密度分布J0_ij；

表面复合电流密度分布J0_ij的计算公式如公式2所示：

公式2：

其中，K为玻尔兹曼常数；T为测试过程中的开尔文温度；q为元电荷量，为1.6×10^-19C；R为双面对称钝化硅片的平均反射率；对1000W/cm²的光照强度，flux·q＝43.6mA/cm²。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述双面对称钝化硅片的基材为N型硅片，且所述N型硅片的体积电阻率在5Ω·cm以上。

3.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，所述双面对称钝化硅片的基材为P型硅片，且所述P型硅片的体积电阻率在10Ω·cm以上。

4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述双面对称钝化硅片的厚度在1000μm以下。

5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试中所照射的光的波长为800-1000nm。

6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述测试中所照射的光的波长为915nm。

7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试iVoc和PL的步骤中所照射的光强度为10-18000W/m²。

8.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试iVoc和PL的步骤中所照射的光的强度梯度为100-1800W/m²。

9.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试是在20-25℃下进行。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述测试是在25℃下进行。

11.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述过剩载流子浓度采用少子寿命测试仪测试。

12.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述发光强度采用光致发光检测设备测试。

13.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述双面对称钝化硅片的制备方法为：使用N型硅片或P型硅片，依次进行双面制绒、双面扩散、双面去磷硅玻璃和双面镀钝化层，然后烧结，得到所述双面对称钝化硅片。

14.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述双面对称钝化硅片的制备方法为：使用N型硅片或P型硅片，依次进行双面制绒、双面扩散、双面抛光、双面镀钝化层和任选地双面镀保护层，然后烧结，得到所述双面对称钝化硅片。