[发明专利]一种发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

衬底；

发光外延层，包括依次层叠设置于所述衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层均是采用基于氮化铟镓体系的材料；

第一电极和第二电极，分别与所述第一半导体层和第二半导体层电连接，所述第一电极和第二电极的数量总和不少于9个；

其中，所述第一电极和第二电极在所述衬底上的投影彼此错开，所述发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在所述衬底上的投影与所述第一电极在所述衬底上的投影和所述第二电极在所述衬底上的投影的最短间隔距离之和介于30微米-60微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于40％-67％之间；

或者，所述最短间隔距离之和介于60微米-80微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于67％-72％之间；

或者，所述最短间隔距离之和小于20微米，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例小于25％；

或者，所述最短间隔距离之和介于20微米-30微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于25％-40％。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管在工作时的峰值波长介于400nm-440nm、440nm-480nm、480nm-540nm、540nm-560nm、560nm-600nm、600nm-700nm或700nm-850nm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述有源发光层上设置有沟槽，所述沟槽将所述第二半导体层和所述有源发光层划分成彼此间隔的至少两个台面结构，并暴露部分所述第一半导体层，其中所述至少部分发光区域包括至少一台面结构，所述第一电极设置于所述沟槽内并电连接至所述第一半导体层，所述第二电极设置于所述第二半导体层上并电连接至第二半导体层，或者所述第二电极至少部分设置于所述沟槽内并通过分支电极或电流扩散层电连接至所述第二半导体层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别为沿第一方向延伸且沿垂直于所述第一方向的第二方向彼此间隔设置的条状电极。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光外延层上的所有所述至少部分发光区域的集合与所述发光外延层上的全部发光区域的面积比不小于50％。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光外延层上的所有所述至少部分发光区域的集合与所述发光外延层上的全部发光区域的面积比不小于70％。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光外延层上的所有所述至少部分发光区域的集合与所述发光外延层上的全部发光区域的面积比不小于90％。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管工作时的平均电流密度不小于0.5A/mm²。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管工作时的平均电流密度不小于1A/mm²。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管工作时的平均电流密度不小于2A/mm²。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管工作时的平均电流密度不小于10A/mm²。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管工作时的平均电流密度不小于20A/mm²。