[发明专利]电容式超声换能器的制备方法及电容式超声换能器有效
| 申请号： | 201911304640.0 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112974197B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 花慧;陶永春;党宁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 张佳 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 超声 换能器 制备 方法 | ||
1.一种电容式超声换能器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层的致密性小于所述第二牺牲层的致密性；
在所述第二牺牲层上形成振膜层，并在所述振膜层中形成过孔；
通过所述过孔对所述第一牺牲层和第二牺牲层进行刻蚀以形成空腔结构；
所述第一牺牲层和所述第二牺牲层在衬底基板上的投影重合；
所述在衬底基板上依次形成第一牺牲层和第二牺牲层之前，还包括：
在衬底基板上形成底电极；
在所述底电极上形成腐蚀停止层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的材料相同。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
所述在衬底基板上依次形成第一牺牲层和第二牺牲层，具体包括：
通过第一次等离子体化学气相沉积工艺形成第一层SiO2；
通过第二次等离子体化学气相沉积工艺在所述第一层SiO2上形成第二层SiO2，所述第二次等离子体化学气相沉积工艺相比于所述第一次等离子体化学气相沉积工艺的反应压强低、和/或射频功率高、和/或SiH4气体流量高。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上依次形成第一牺牲层和第二牺牲层，具体包括：
采用金属有机化合物化学气相沉积工艺形成第一层ZnO；
采用磁控溅射工艺在所述第一层ZnO上形成第二层ZnO。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度大于所述第二牺牲层的厚度。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层与所述第二牺牲层的厚度之比为1.5～4：1。
7.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底基板包括玻璃衬底。
8.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述通过所述过孔对所述第一牺牲层和第二牺牲层进行刻蚀以形成空腔结构之后，还包括：
填充所述振膜层的所述过孔；
在所述振膜层上形成顶电极；所述顶电极在衬底基板上的投影位于所述空腔结构在衬底基板上的投影内，且与所述过孔在衬底基板上的投影没有交叠。
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