[发明专利]用于准单能中子参考辐射场的准直器

权利要求书

1.一种用于准单能中子参考辐射场的准直器，其特征在于，所述准直器包括：

贴合设置的两个或更多个准直部(1)，所述准直部(1)上开设有贯穿所述准直部(1)的准直孔(2)，所有所述准直孔(2)一同形成准直通道，所述准直通道将中子整合成为中子束并将中子束沿所述准直通道的轴线方向射出；

所述准直部为纯度在90％以上的铁质块。

2.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述两个或更多个准直部(1)包括：

第一准直部(11)；

第二准直部(12)，所述第二准直部(12)设置在所述第一准直部(11)的一侧；以及

第三准直部(13)，所述第三准直部(13)设置在所述第二准直部(12)的背离所述第一准直部(11)的一侧；

其中，所述第一准直部(11)上开设有第一准直孔(21)；

所述第二准直部(12)上开设有第二准直孔(22)；

所述第三准直部(13)上开设有第三准直孔(23)。

3.根据权利要求2所述的准直器，其特征在于：

所述第一准直部(11)为长方体；

所述第一准直孔(21)的开设方向垂直于所述第一准直部(11)的与所述第二准直部(12)贴合的表面。

4.根据权利要求3所述的准直器，其特征在于：

所述第二准直部(12)为长方体；

所述第二准直孔(22)的开设方向垂直于所述第二准直部(12)的与所述第三准直部(13)贴合的表面。

5.根据权利要求4所述的准直器，其特征在于：

所述第三准直部(13)为长方体；

所述第三准直孔(23)的开设方向垂直于所述第三准直部(13)的与所述第二准直部(12)贴合的表面。

6.根据权利要求5所述的准直器，其特征在于：

所述第一准直孔(21)、所述第二准直孔(22)和所述第三准直孔(23)的孔径相同；

所述第一准直孔(21)的轴线、所述第二准直孔(22)的轴线和所述第三准直孔(23)的轴线在同一直线上。

7.根据权利要求6所述的准直器，其特征在于：

所述第一准直部(11)、所述第二准直部(12)和所述第三准直部(13)中的相邻的两者彼此交错地设置，使得所述相邻的两者的上表面不在同一平面内，和/或使得所述相邻的两者的下表面不在同一平面内。

8.根据权利要求7所述的准直器，其特征在于：

所述准直器还包括：

安装块(3)，所述安装块(3)用于固定所述第一准直部(11)、所述第二准直部(12)和所述第三准直部(13)。

9.根据权利要求8所述的准直器，其特征在于：

所述安装块(3)包括：

第一安装块(31)，所述第一安装块(31)嵌入所述第一准直部(11)与所述第二准直部(12)共同形成的槽内；

第二安装块(32)，所述第二安装块(32)嵌入所述第一准直部(11)、所述第二准直部(12)和所述第三准直部(13)共同形成的槽内；以及

第三安装块(33)，所述第三安装块(33)嵌入所述第二准直部(12)与所述第三准直部(13)共同形成的槽内；

所述第一安装块(31)、所述第二安装块(32)和所述第三安装块(33)设置成使得所述准直器具有平面的上表面和下表面。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的准直器，其特征在于：

所述准直器的外部设置有屏蔽块(4)，所述屏蔽块(4)覆盖所述准直器的垂直于所述准直通道的端面的外周缘部分。