[发明专利]操作存储器控制器和存储器系统的方法以及存储器系统

说明书

提供了一种操作存储器控制器和存储器系统的方法、以及存储器系统。所述对控制非易失性存储器设备的存储器控制器进行控制的方法包括：经由第一接口从外部控制器接收第一数据和第一物理地址；将第一数据存储在非易失性存储器缓冲器中；以及控制非易失性存储器设备的写入操作，其中在非易失性存储器的第一物理区域中编程所述存储在非易失性存储器缓冲器中的第一数据，该第一物理区域对应于第一物理地址。

相关专利的交叉引用

本申请要求于2018年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0165532号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器系统，更具体地，涉及一种包括非易失性存储器设备的存储器系统、操作该存储器系统的方法、以及包括在该存储器系统中的存储器控制器。

背景技术

即使在不再供电时，非易失性存储器也保持存储的数据。闪存是可以电擦除和重新编程的非易失性存储器的示例。包括诸如嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)和存储卡的闪存的存储设备已被广泛用于存储和传送大量数据。

然而，如果经历太多编程周期，则可能降低闪存的写入可靠性。此外，由于擦除操作只能在逐块的基础上执行，因此闪存可能具有比其他类型的非易失性存储器更低的写入性能。因此，需要一种用于改进非易失性存储器设备的写入可靠性和写入性能的方法和装置。

发明内容

本发明构思的至少一个实施例提供了一种包括多个存储器控制器和存储器设备的存储器系统、操作该存储器系统的方法、以及操作存储器控制器的方法。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种操作控制非易失性存储器设备的第一存储器控制器的方法，该方法包括：第一存储器控制器经由第一存储器控制器的第一接口从第二存储器控制器接收第一数据和第一物理地址；第一存储器控制器在第一存储器控制器的非易失性存储器缓冲器中存储第一数据；以及第一存储器控制器在与第一物理地址对应的非易失性存储器设备的第一物理区域中对存储在非易失性存储器缓冲器中的第一数据进行编程。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种操作控制非易失性存储器设备的存储器控制系统的方法，该方法包括：由第二控制器经由第一接口从第一控制器接收写入数据和第一物理地址；由第二控制器将写入数据存储在第二控制器的非易失性存储器缓冲器中；以及由第二控制器使用存储在非易失性存储器缓冲器中的写入数据和第一物理地址对非易失性存储设备进行写入操作；以及由第二控制器向所述第一控制器输出指示写入操作是成功完成还是失败的信号。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种存储器系统，包括：第一控制器，从主机接收对非易失性存储器设备的访问请求和逻辑地址，该第一控制器被配置为将逻辑地址转换为物理地址；以及第二控制器，从第一控制器接收物理地址，该第二控制器控制将写入数据写入非易失性存储器设备的存储区域，该存储区域对应于物理地址，以及控制读取数据从存储区域被读取。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，其中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的包括存储器系统的数据处理系统的框图；

图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的、在存储器系统中的写入和读取操作的示图；

图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的操作存储器系统的方法的流程图；

图4是根据本发明构思的示例性实施例的第二控制器的框图；

图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的、在非易失性存储器缓冲器中的存储器单元阵列的示例的示图；

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的、在存储器系统中的写入方法的流程图；