[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；

V-坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；

第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V-坑；以及

活性层，置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V-坑穿过活性层，

其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V-坑的起点的V-坑产生层，

其中，低浓度掺杂层置于V-坑产生层与活性层之间，并且掺杂有Si的高浓度势垒层置于低浓度掺杂层与活性层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，低浓度掺杂层的掺杂浓度低于高浓度势垒层和第一下导电型半导体层的掺杂浓度，以形成电容器。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还包括：

低浓度超晶格层，置于低浓度掺杂层和高浓度势垒层之间。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，低浓度超晶格层的掺杂浓度等于或低于低浓度掺杂层的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，V-坑与高浓度势垒层交叉，从而高浓度势垒层具有三维形状。