[发明专利]一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法

权利要求书

1.一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤10：将待溅射铌酸锂基片移入真空室室内并放置于样品座上；

步骤20：将真空室内的靶材的角度调整到预设角度，调节靶材到基板的距离到预设距离；所述靶材包括二氧化硅靶材、钛靶材、铂靶材和钛酸锶钡靶材；其中所述二氧化硅靶间距为140mm，钛靶间距为60mm，铂靶间距为60mm，钛酸锶钡靶间距为90mm；

步骤30：对真空室进行抽真空，到达本底真空；

步骤40：通入氧气和氩气，在基片上溅射二氧化硅；

步骤50：在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属钛；

步骤60：在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属铂；

步骤70：将基片加热至400摄氏度后，在氧气和氩气条件下，打开射频电源在基片上溅射钛酸锶钡；

步骤80：完成步骤70后，加热基片至650摄氏度，在氧气环境下退火。

2.根据权利要求1所述的一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法，其特征在于，所述步骤20中真空度为6×10^-5Pa。

3.根据权利要求1所述的一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法，其特征在于，所述步骤40具体步骤为：二氧化硅靶材作为非金属靶材需在60W的功率下进行10分钟的预溅射，其中，预溅射时关闭样品挡板，预溅射结束后打开样品挡板；预溅射结束后进行主溅射，氩氧比为20:2；溅射时气压为0.4Pa；射频溅射功率为100W，溅射时间为20分钟。

4.根据权利要求1所述的一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法，其特征在于，所述步骤50具体步骤为：钛靶材作为金属靶材需在80W的功率下进行2分钟的预溅射；预溅射结束后在对钛靶材进行主溅射，在氩气环境中，溅射时气压为0.7Pa；直流溅射功率为100W，溅射时间为10分钟。

5.根据权利要求1所述的一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法，其特征在于，所述步骤60具体步骤为：铂靶材作为金属靶材需在80W的功率下进行2分钟的预溅射，其中，预溅射时关闭样品挡板，预溅射结束后打开样品挡板；预溅射结束后进行主溅射，在氩气环境中，溅射时气压为0.7Pa；直流溅射功率为100W，溅射时间为10分钟。

6.根据权利要求1所述的一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法，其特征在于，所述步骤70具体步骤为：将基片加热至400摄氏度后，钛酸锶钡靶材作为非金属靶材需在60W的功率下进行10分钟的预溅射，其中，预溅射需要关闭样品挡板，预溅射结束后打开样品挡板；预溅射结束后进行主溅射，氩氧比为21:9；溅射时气压为0.4Pa；射频溅射功率为100W，溅射时间为180分钟。

7.根据权利要求1所述的一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法，其特征在于，所述二氧化硅靶材的纯度达到99.995％，所述钛靶材的纯度达到99.995％，所述铂靶材的纯度达到99.995％，所述钛酸锶钡靶材中钡锶元素比为0.7:0.3，纯度达到99.995％。