[发明专利]一种半导体芯片清洗方法在审
申请号: | 201911307547.5 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111063609A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王青松 | 申请(专利权)人: | 武汉百臻半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 湖北天领艾匹律师事务所 42252 | 代理人: | 程明 |
地址: | 430000 湖北省武汉市中国(湖北)自*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 清洗 方法 | ||
1.一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
S1、清洗用品的准备:首先将量取的丙酮ACE、异丙醇IPA和去离子DI水,并准备清洗设备;
S2、前期清洗准备和规划:将花篮放置于超声设备的内槽里,再向步骤S1准备的超声设备和兆声波设备的内槽内均倒入2000-4000ml的丙酮和异丙醇溶液,使溶液水平面在花篮上平面以上,记录溶液更换日期,并规划溶液的清洗次数;
S3、一次超声清洗:将待清洗的半导体芯片转移至步骤S1放置好的花篮中,设置超声的温度在55-65℃,并计时超声清洗晶片8-12min,然后用顶盖将内槽封闭,并记录溶液累计使用片数;
S4、二次超声清洗:将放有晶片的花篮取出使用去离子DI水冲洗3-6min,然后将花篮置于异丙醇中,设置溶液温度55-65℃,记时超声清洗晶片8-12min,之后用顶盖将内槽封闭,记录溶液累计使用片数;
S5、化学试剂涮洗:将放有晶片的花篮取出使用去离子DI水冲洗3-6min,然后将放有晶片的花篮置于已配制好的硫酸和双氧水溶液中,计时涮洗8-12min,并记录溶液使用累计片数,保持溶液的温度为85-95℃;
S6、兆声清洗处理:将放有晶片的花篮取出使用去离子DI水冲洗3-6min,然后将晶片从花篮中取出,放置于卡塞中,将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中,在55-65℃的温度下兆声清洗8-12min;
S7、烘干收集处理:将放有晶片的卡塞取出使用去离子DI水冲洗8-12min,然后将放有晶片的卡塞放入甩干机中甩干5-6min,然后通过烘干设备在温度为45-56℃的条件下干燥5-7min,之后将烘干处理后的半导体芯片从卡塞上取下放入样品盒内进行集中收集。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S1中准备的清洗设备有超声清洗设备、兆声波设备、花篮、卡塞及样品盒。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S2中按每2000ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数。
4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S5中加入硫酸和双氧水混合液共1100-1200ml,且硫酸和双氧水的配比为=3:1。
5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S5中若配制好的硫酸和双氧水的混合溶液为非新配溶液,则需向溶液中按溶液的1/3加入双氧水溶液。
6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S6中兆声波清洗设备是选用型号为AQS-45001的自动兆声波清洗机。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造