[发明专利]一种半导体芯片清洗方法在审

专利信息
申请号: 201911307547.5 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111063609A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 王青松 申请(专利权)人: 武汉百臻半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 湖北天领艾匹律师事务所 42252 代理人: 程明
地址: 430000 湖北省武汉市中国(湖北)自*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:具体包括以下步骤:

S1、清洗用品的准备:首先将量取的丙酮ACE、异丙醇IPA和去离子DI水,并准备清洗设备;

S2、前期清洗准备和规划:将花篮放置于超声设备的内槽里,再向步骤S1准备的超声设备和兆声波设备的内槽内均倒入2000-4000ml的丙酮和异丙醇溶液,使溶液水平面在花篮上平面以上,记录溶液更换日期,并规划溶液的清洗次数;

S3、一次超声清洗:将待清洗的半导体芯片转移至步骤S1放置好的花篮中,设置超声的温度在55-65℃,并计时超声清洗晶片8-12min,然后用顶盖将内槽封闭,并记录溶液累计使用片数;

S4、二次超声清洗:将放有晶片的花篮取出使用去离子DI水冲洗3-6min,然后将花篮置于异丙醇中,设置溶液温度55-65℃,记时超声清洗晶片8-12min,之后用顶盖将内槽封闭,记录溶液累计使用片数;

S5、化学试剂涮洗:将放有晶片的花篮取出使用去离子DI水冲洗3-6min,然后将放有晶片的花篮置于已配制好的硫酸和双氧水溶液中,计时涮洗8-12min,并记录溶液使用累计片数,保持溶液的温度为85-95℃;

S6、兆声清洗处理:将放有晶片的花篮取出使用去离子DI水冲洗3-6min,然后将晶片从花篮中取出,放置于卡塞中,将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中,在55-65℃的温度下兆声清洗8-12min;

S7、烘干收集处理:将放有晶片的卡塞取出使用去离子DI水冲洗8-12min,然后将放有晶片的卡塞放入甩干机中甩干5-6min,然后通过烘干设备在温度为45-56℃的条件下干燥5-7min,之后将烘干处理后的半导体芯片从卡塞上取下放入样品盒内进行集中收集。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S1中准备的清洗设备有超声清洗设备、兆声波设备、花篮、卡塞及样品盒。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S2中按每2000ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数。

4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S5中加入硫酸和双氧水混合液共1100-1200ml,且硫酸和双氧水的配比为=3:1。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S5中若配制好的硫酸和双氧水的混合溶液为非新配溶液,则需向溶液中按溶液的1/3加入双氧水溶液。

6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片清洗方法,其特征在于:所述步骤S6中兆声波清洗设备是选用型号为AQS-45001的自动兆声波清洗机。

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