[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

框架，具有彼此电连接的多个布线层，并且具有凹槽，在所述凹槽上设置有止挡层；

半导体芯片，设置在所述凹槽中并且包括主体和贯穿过孔，所述主体具有第一表面以及与所述第一表面背对的第二表面，在所述第一表面上设置有连接焊盘，所述贯穿过孔贯穿所述主体的所述第一表面与所述第二表面之间的区域的至少一部分，所述第二表面面对所述止挡层；

包封剂，覆盖所述框架和所述半导体芯片中的每个的至少一部分，并且填充所述凹槽的至少一部分；

第一连接结构，设置在所述框架的下侧上和所述半导体芯片的所述第一表面上，并且包括一个或更多个第一重新分布层；以及

第二连接结构，设置在所述框架的上侧上和所述半导体芯片的所述第二表面上，并且包括一个或更多个第二重新分布层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在与堆叠方向垂直的平面上，所述第一连接结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述半导体芯片重叠，所述第二区域围绕所述第一区域并与所述框架重叠，并且

所述一个或更多个第一重新分布层包括：第一信号图案，位于所述第一区域中；第二信号图案，位于从所述第一区域延伸到所述第二区域的区域中；以及电力图案和接地图案中的至少一个，位于所述第二区域中。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，在所述第一连接结构中所述第一信号图案和所述第二信号图案彼此断开。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述连接焊盘包括电连接到所述第一信号图案的第一连接焊盘和电连接到所述第二信号图案的第二连接焊盘，

所述第一连接焊盘通过所述第一信号图案在所述第一区域中重新分布，并且所述第二连接焊盘通过所述第二信号图案从所述第一区域重新分布到所述第二区域。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述多个布线层包括电力图案和接地图案中的至少一个，

所述一个或更多个第二重新分布层包括电力图案和接地图案中的至少一个，并且

所述第二区域的电力图案和接地图案中的至少一个与所述贯穿过孔通过顺序地或逆序地穿过所述多个布线层的电力图案和接地图案中的至少一个、所述一个或更多个第二重新分布层的电力图案和接地图案中的至少一个以及所述止挡层的电路径而彼此电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在所述第二连接结构的上方的无源组件，

其中，所述无源组件电连接到所述一个或更多个第二重新分布层的电力图案和接地图案中的至少一个。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述多个布线层还包括信号图案，

所述一个或更多个第二重新分布层还包括信号图案，并且

所述一个或更多个第二重新分布层的信号图案和所述第二连接焊盘通过顺序地或逆序地穿过所述第二信号图案和所述多个布线层的信号图案的电路径而彼此电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括存储器结构，所述存储器结构设置在所述第二连接结构的上方并包括至少一个存储器芯片，

其中，所述存储器结构经由电连接金属件以层叠封装的形式设置在所述第二连接结构上，并且

其中，所述至少一个存储器芯片电连接到所述一个或更多个第二重新分布层的信号图案。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述半导体芯片是应用处理器芯片。

10.根据权利要求2所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在所述第一连接结构的下方的电连接金属件，

其中，所述电连接金属件包括：第一电连接金属件，设置于在所述平面上与所述第一区域重叠的区域中，并且电连接到所述第一信号图案；以及第二电连接金属件，设置于在所述平面上与所述第二区域重叠的区域中，并且电连接到所述第二区域的电力图案和接地图案中的至少一个。