[发明专利]一种LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

在衬底上生长外延层材料，形成包括多个LED芯片的晶圆模块；

在所述衬底上形成多层改质层，包括：在衬底中形成端部改质层，所述端部改质层位于所述衬底内距离衬底厚度方向端部附近；在衬底中形成多个中部改质层,所述中部改质层在所述衬底厚度的方向上比所述端部改质层更接近所述衬底厚度的中心；

将所述晶圆模块分裂成多个LED芯片；

所述中部改质层包括N个独立的改质层，其中N≥2；所述中部改质层分为括第一组中部改质层和第二组中部改质层；所述第一组中部改质层内各层之间沿着所述衬底厚度的方向对齐；所述第二组中部改质层内各层之间沿着所述衬底厚度的方向对齐；所述第一组中部改质层位于切割中线宽度方向的第一侧，所述第二组中部改质层位于所述切割中线宽度方向的第二侧；所述端部改质层位于所述衬底的厚度两端附近；包括第一端部改质层和第二端部改质层；所述第一端部改质层位于所述衬底的下表面附近，所述第二端部改质层位于所述衬底的上表面附近；所述端部改质层与两芯片之间的切割中线对齐；

中部改质层的相邻层之间的宽度方向距离大于相邻层之间厚度的距离。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述第一组中部改质层为奇数层，第二组中部改质层为偶数层。

3.根据权利要求2所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述第一组中部改质层之间沿着所述衬底厚度方向等距设置；第二组中部改质层沿着所述衬底厚度方向等距设置。

4.根据权利要求3所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，中部改质层的各层之间均设置于所述衬底厚度方向的不同位置上，并且各层之间沿着所述衬底厚度方向等距设置。

5.根据权利要求1所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在衬底上生长外延层材料后将所述衬底进行减薄、抛光。