[发明专利]TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区；

在所述像素驱动区形成一第一低温多晶硅薄膜晶体管、一第一氧化物薄膜晶体管及一遮蔽层，其中，所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成，所述遮蔽层形成于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧；以及

在所述屏下指纹区形成一第三薄膜晶体管；

其中，所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光，所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制，所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光，所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三薄膜晶体管为一第三低温多晶硅薄膜晶体管；所述第三低温多晶硅薄膜晶体管与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的结构相同，且所述第三低温多晶硅薄膜晶体管的多晶硅有源层与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的多晶硅有源层通过一次构图工艺形成。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述第三薄膜晶体管为一第三氧化物薄膜晶体管，所述第三氧化物薄膜晶体管与所述第一氧化物薄膜晶体管的结构相同，且所述第三氧化物薄膜晶体管的栅极、所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极、所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成；

所述遮蔽层进一步形成于所述屏下指纹区，并对应于所述第三氧化物薄膜晶体管的两侧，用于对所述第三氧化物薄膜晶体管进行遮光。

4.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区；

一第一低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述像素驱动区，所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光；

一第一氧化物薄膜晶体管，设置于所述像素驱动区，所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制，其中，所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极同层；

一遮蔽层，设置于所述像素驱动区，且对应于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧，所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光；以及

一第三薄膜晶体管，设置于所述屏下指纹区，所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。

5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮蔽层与所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极不同层，且与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的栅极或源/漏极同层。

6.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述屏下指纹区设置于相邻两像素驱动区之间。

7.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第三薄膜晶体管为一第三氧化物薄膜晶体管；所述第三氧化物薄膜晶体管与所述第一氧化物薄膜晶体管的结构相同。

8.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，

所述第三薄膜晶体管为一第三低温多晶硅薄膜晶体管，所述第三低温多晶硅薄膜晶体管与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的结构相同；

所述遮蔽层进一步设置于所述屏下指纹区，并对应于所述第三氧化物薄膜晶体管的两侧，用于对所述第三氧化物薄膜晶体管进行遮光。

9.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：

一平坦化层，设置于所述第一氧化物薄膜晶体管上，且对应所述像素驱动区及所述屏下指纹区；

一阳极，设置于所述平坦化层上，且对应所述像素驱动区，其中，所述阳极通过通孔与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管电连接；以及

一像素定义层，设置于所述平坦化层上，且对应所述像素驱动区，其中，所述像素定义层部分暴露所述阳极，在对应所述第一氧化物薄膜晶体管的区域，所述像素定义层采用黑色吸光材料制成。

10.一种OLED触控显示装置，其特征在于，包括：

一TFT阵列基板，所述TFT阵列基板采用如权利要求4～9任意一项所述的TFT阵列基板；

一有机发光层，设置于所述TFT阵列基板上；

一阴极层，设置于所述有机发光层上；

一薄膜封装层，设置于所述阴极层上；

一触控层，设置于所述薄膜封装层上；

一偏光片，设置于所述触控层上；以及

一盖板，设置于所述偏光片上。