[发明专利]Flash数据校验方法及Flash控制器、存储介质、设备有效

专利信息
申请号: 201911309883.3 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111124742B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 陈诚;陈光胜 申请(专利权)人: 上海东软载波微电子有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李笑笑
地址: 200235 上海市徐汇区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: flash 数据 校验 方法 控制器 存储 介质 设备
【说明书】:

一种Flash数据校验方法及Flash控制器、存储介质、设备,所述方法包括:确定Flash中的静态程序通过完整性校验;在Flash中的静态程序通过完整性校验之后,对Flash中的数据分组进行正确性校验运算,获取全部分组的正确性校验值并存储至预设的正确性校验结果存储器中;接收中央处理器输出的指令;当中央处理器输出的指令为读取指令时,获取读取指令对应的目标数据,并从正确性校验结果存储器中选取出目标数据对应的目标校验值;采用目标校验值对目标数据进行校验,并在校验成功后,将目标数据输出至所述中央处理器。上述方案能够对读取到的数据进行实时校验,提高使用Flash的系统的可靠性。

技术领域

发明涉及Flash技术领域,尤其涉及一种Flash数据校验方法及Flash控制器、存储介质、设备。

背景技术

Flash(闪存)具有成本低、擦写次数多且数据存储时间久的优点,已经广泛应用在嵌入式系统或设备中,用来存储程序和数据。Flash的稳定性和可靠性是嵌入式系统或设备稳定可靠工作的一个重要条件。

在实际系统中,Flash对工作条件的要求较高,例如Flash需要较高的工作电压。在实际应用过程中,在一些恶劣的工作环境下,Flash的工作条件可能无法满足,导致在从Flash中读取数据时会发生数据读取错误,造成系统可靠性较差。

目前市面上有部分嵌入式Flash支持专门的校验位,即每次读数据包含了校验位,如ECC校验位进行实时检验;但大部分嵌入式Flash不支持专门的校验位,即每次读数据不包含校验位,若将校验位存储在Flash其他区域,则每次读数据需要进行2次,即先读数据,再读检验位,这种方式性能慢,同时当运行过程中修改Flash上数据时,需同时修改对应校验位,因为Flash一般不能直接写数据,需要先擦除在编程写数据,这种方式显然也效率低下。

现有的Flash可靠性方案较多,但总体上看,现有的Flash可靠性方案均存在成本较高、效率偏低或实时性较差的问题。

发明内容

本发明实施例解决的是从Flash中读取数据时会发生数据读取错误,造成系统可靠性较差、效率较低的技术问题。

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种Flash数据校验方法,包括:在Flash上电或Flash重置时,确定所述Flash中的静态程序通过完整性校验;在所述Flash中的静态程序通过完整性校验之后,对所述Flash中的数据分组进行正确性校验运算,获取全部分组的正确性校验结果并存储至预设的正确性校验结果存储器中;接收中央处理器输出的指令;当所述中央处理器输出的指令为读取指令时,获取所述读取指令对应的目标数据,并从所述正确性校验结果存储器中选取出所述目标数据对应的目标校验值;采用所述目标校验值对所述目标数据进行校验,并在校验成功后,将所述目标数据输出至所述中央处理器。

可选的,所述Flash数据校验方法还包括:当所述中央处理器输出的指令为擦除指令时,对所述擦除指令对应的页进行擦除操作,并对所述正确性校验结果存储器中与所述擦除指令对应的页的校验值进行实时更新。

可选的,在对所述正确性校验结果存储器中与所述擦除指令对应的页的校验值进行更新之后,还包括:对所述擦除指令对应的页进行查空检查,以确定所述擦除指令正确执行;对更新后的所述正确性校验结果存储器中与所述擦除指令对应的页的校验值进行检查,以确定更新后的校验值正确。

可选的,所述Flash数据校验方法还包括:当所述中央处理器输出的指令为编程指令时,对所述编程指令对应地址的存储单元进行编程操作,并对所述正确性校验结果存储器中与所述编程指令对应的地址的校验值进行更新。

可选的,在对所述正确性校验结果存储器中与所述编程指令对应的地址的校验值进行更新之后,还包括:对所述编程指令对应地址的存储单元的编程数据进行检查,以确定所述编程指令正确执行;对更新后的所述正确性校验结果存储器中与所述编程指令对应的地址的校验值进行检查,以确定更新后的校验值正确。

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