[发明专利]用于写入缓冲器的缓冲器复位命令的设备和方法在审

专利信息
申请号: 201911309900.3 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111383688A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: M·斯福尔津;P·阿马托 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C7/20
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 写入 缓冲器 复位 命令 设备 方法
【说明书】:

发明包含用于写入缓冲器的缓冲器复位命令的设备和方法。实例设备包含存储器和耦合到所述存储器的控制器。所述存储器可以包含电阻可变存储器单元的阵列,所述阵列经配置以横跨多个分区存储与被管单位对应的数据,每一分区具有与其对应的相应写入缓冲器。所述控制器可以经配置以通过向所述存储器提供写入缓冲器复位命令,后续接着写入命令来更新所述被管单位。所述存储器可经配置以执行所述写入缓冲器复位命令,以将所述写入缓冲器置于复位状态。所述存储器可进一步经配置以执行所述写入命令,以基于与所述写入命令对应的数据来修改所述写入缓冲器的内容,并将所述写入缓冲器的所述经修改内容写入到所述阵列中的经更新位置。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器和方法,且更特定来说涉及利用缓冲器复位命令的存储器管理。

背景技术

存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路和/或外部可装卸式装置。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据,且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM),以及其它。非易失性存储器可通过在未供电时留存所存储数据而提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM),和电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁阻式随机存取存储器(MRAM)以及其它存储器。

存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性和低功耗的广泛电子应用中的易失性存储器和非易失性存储器。举例来说,非易失性存储器可用于个人计算机、便携式存储器棒、固态驱动器(SSD)、个人数字助理(PDA)、数字相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器(例如,MP3播放器)和电影播放器以及其它电子装置中。数据(例如程序代码、用户数据及/或例如基本输入/输出系统(BIOS)的系统数据)通常存储于非易失性存储器装置中。

可以将电阻可变存储器单元写入(例如,编程)到所需状态,例如写入到多个状态中的一个。例如,相应多个状态中的每一个可以对应于相应阈值电压(Vt)分布。编程为单级单元(SLC)的电阻变量存储器单元可以存储两个逻辑(例如二进制)数据状态(例如1或0)中的一个。编程为多级单元(MLC)的电阻可变存储器单元可以存储多于两个逻辑数据状态。

在一些实例中,较低的电阻状态可以被称为设置状态(例如,对应于逻辑1),且较高的电阻状态可以被称为复位状态(例如,对应于逻辑0)。例如,可以通过复位操作将处于设置状态的单元写入(例如,就地)到复位状态,且可以通过设置操作将处于复位状态的单元写入(例如,就地)到设置状态。

从存储器装置处的主机接收到的数据可以在被写入到存储器装置的阵列之前临时存储在缓冲器(例如,写入缓冲器)中。例如,主机可以将数据发送到存储器装置,且缓冲器可以在将数据的另一部分编程到阵列时存储数据的一部分。

发明内容

根据本申请案的一方面,提供一种用于操作存储器的设备。所述设备包括:存储器(108;308),其包括电阻可变存储器单元的阵列(112;220;556),其经配置以横跨多个分区(352-1、352-2、352-3、...、352-N)存储与被管单位(350)对应的数据,每一分区具有与其对应的相应写入缓冲器(114;314-1、314-2、314-3、...、314-N;554);及控制器(106),其耦合到所述存储器,且经配置以通过向所述存储器提供写入缓冲器复位命令(105;462-1、462-2、…、462-Y),后续接着写入命令(464-1、464-2、...、464-Y)来更新所述被管单位,其中所述存储器经配置以:执行所述写入缓冲器复位命令以将所述写入缓冲器置于复位状态;及执行所述写入命令以:基于与所述写入命令对应的数据,修改所述写入缓冲器的内容;及将所述写入缓冲器的所述经修改内容写入到所述阵列中的经更新位置。

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