[发明专利]用于直接耦合到RF驱动器电路的InP马赫-曾德尔调制器的偏置方法

权利要求书

1.一种光发射机，该光发射机包括：

MZ干涉仪；以及

驱动器电路，

所述MZ干涉仪与驱动器电路直接耦合，以及

所述MZ干涉仪包括：

差分驱动的MZ电极对，被配置成将RF信号赋予通过所述MZ干涉仪的相应臂行进的光，并且经由所述MZ干涉仪的下n型包层接收DC偏置作为正电压，

所述下n型包层处于与所述MZ干涉仪的上平面RF接地不同的正DC电势，并且具有与所述上平面RF接地相似的AC电势；

串联连接的电阻器对，被用于提供所述差分驱动的MZ电极对的差分RF端接；以及

电容耦合，位于在所述电阻器对之间的中心点处形成的虚拟接地与RF接地之间，以提供共模RF端接，

用于所述驱动器电路的DC电源被施加到所述中心点。

2.根据权利要求1所述的光发射机，其中所述下n型包层与所述上平面RF接地之间的电容耦合由芯片上电容器件和芯片外电容器件提供。

3.根据权利要求2所述的光发射机，其中所述芯片上电容器件具有大约50pF的电容和/或所述芯片外电容器件具有大约100nF的电容。

4.根据权利要求1所述的光发射机，其中共模RF端接由具有大约10pF电容的电容器件提供。

5.根据权利要求1所述的光发射机，其中所述DC偏置被提供给所述MZ干涉仪的所述下n型包层和外围p型包层两者。

6.根据权利要求1所述的光发射机，其中下n型包层接触被提供在所述MZ干涉仪的上表面上。

7.根据权利要求1所述的光发射机，其中下n型包层接触被提供在所述MZ干涉仪的背面上。

8.根据权利要求1所述的光发射机，其中所述MZ干涉仪和所述驱动器电路被共同定位在所述光发射机的光学子组件内，在所述MZ干涉仪与所述驱动器电路之间没有偏置三通布置或RF部件列。

9.根据权利要求1所述的光发射机，该光发射机还包括：多个MZ干涉仪，

所述多个MZ干涉仪中的每一者包括调制器芯片。

10.一种偏置包括MZ干涉仪和驱动器电路的光发射机的方法，所述方法包括：

经由所述MZ干涉仪的下n型包层向所述MZ干涉仪的差分驱动的MZ电极对施加正电压DC偏置，

所述下n型包层处于与所述MZ干涉仪的上平面RF接地不同的正DC电势，并且具有与所述上平面RF接地相似的AC电势；

经由串联连接的电阻器对提供所述差分驱动的MZ电极对的差分RF端接；

经由在所述电阻器对之间的中心点处形成的虚拟接地与RF接地之间的电容耦合来提供共模RF端接；以及

在所述RF端接的所述中心点处施加DC电源。

11.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括：

通过芯片上电容器件和芯片外电容器件在所述下n型包层与所述上平面RF接地之间提供电容耦合。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述芯片上电容器件具有大约50pF的电容和/或所述芯片外电容器件具有大约100nF的电容。

13.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括：

通过具有大约10pF电容的电容器件提供共模RF端接。

14.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括：

向所述MZ干涉仪的所述下n型包层和外围p型包层提供DC偏置。

15.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括：

在所述MZ干涉仪的上表面上提供下n型包层接触。