[发明专利]一种PdNPs/NiNPs/碳布电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201911310440.6 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113013429A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 孙晶;曹厚勇;孙池秀;贺绪慧 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01M4/92 | 分类号： | H01M4/92;H01M4/86;H01M4/88;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pdnps ninps 电极 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种PdNPs/NiNPs/碳布电极，其特征是，包括以碳布为基底和导电层，纳米镍-钯颗粒为电化学沉积层，所述纳米镍-钯颗粒沉积在碳布上。
2.如权利要求1所述的一种PdNPs/NiNPs/碳布电极的制备方法，其特征是，具体步骤如下所示：
(1)制备碳布电极：取碳布，剪成长方形，乙醇冲洗，氮气吹干得到碳布电极备用；
(2)制备NiNPs/碳布电极：采用三电极体系，用清洗干净的碳布电极作为工作电极，Ag/AgCl电极和铂丝电极为参比电极和对电极放入盛有0.02M硫酸镍和0.1M硫酸钠溶液的电解池中；采用阶梯波伏安法沉积，设置参数为：初始电位：-0.35V，终点电位：-0.15V，电位增量：0.01V，扫描段数：25，阶梯宽度：15s；沉积完后的电极氮气保护，放置三天后备用；得到NiNPs/碳布电极；
(3)制备PdNPs/NiNPs/碳布电极：采用三电极体系，以纳米结构的NiNPs/碳布电极作为工作电极，铂电极作为对电极，Ag/Ag Cl作为参比电极；放入盛有0.02M硫酸钯和0.1M硫酸钠溶液的电解池中；利用循环伏安法，在-0.2～1.3V的电位范围沉积钯，沉积完后放置一天后备用；制得PdNPs/NiNPs/碳布电极。
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