[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置在审
申请号: | 201911310511.2 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111029384A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 杨星星;马扬昭;夏志强 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘彩红 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区域,所述显示区域内设置有多个像素;
所述像素包括多种颜色的子像素,所述子像素包括发光层,所述像素包括第一颜色子像素,所述第一颜色子像素中的发光层包括第一发光材料,其余颜色子像素中的发光层包括所述第一发光材料和第二发光材料;所述其余颜色子像素中,不同颜色子像素对应的所述第二发光材料不同;
对于所述第一发光材料与所述第二发光材料,其中一种发光材料释放的能量用于激发另一种发光材料发光;
其中,所述子像素还包括阳极和阴极,所述发光层位于所述阳极与所述阴极之间。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素包括:所述第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素;
在第一方向上所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素交替设置,在第二方向仅设置有一种颜色的子像素,所述第一方向与所述第二方向垂直;
在所述第一方向上,所述第一颜色子像素位于其余任意两种颜色子像素之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一颜色子像素与所述第二颜色子像素之间的间距为第一间距,所述第一颜色子像素与所述第三颜色子像素之间的间距为第二间距,所述第二颜色子像素与所述第三颜色子像素之间的间距为第三间距;
所述第一间距和所述第二间距均小于所述第三间距。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一间距与所述第二间距相等。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一间距为3微米至8微米;
所述第三间距为15微米至25微米。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素包括:绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素;
所述第一颜色子像素为所述蓝色子像素。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一发光材料为InGaN;
所述红色子像素中的所述第二发光材料为CaGa2S:Eu2+;
所述绿色子像素中的所述第二发光材料为Ca2S:Eu2+。
8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一发光材料和所述第二发光材料均利用微腔效应发光。
9.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板;
所述显示面板包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种如权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上制作阳极;其中,所述阵列基板包括显示区域,所述显示区域内设置有多个像素,所述像素包括多种颜色的子像素,所述阳极位于各所述子像素内;
在所述阳极之上制作第一发光材料;其中,所述子像素包括发光层,所述像素包括第一颜色子像素,所述第一发光材料位于各所述子像素中的发光层内;
在所述第一发光材料之上制作第二发光材料;其中,所述第二发光材料位于除所述第一颜色子像素之外的其余颜色子像素中的发光层内,所述其余颜色子像素中,不同颜色子像素对应的所述第二发光材料不同,对于所述第一发光材料与所述第二发光材料,其中一种发光材料释放的能量用于激发另一种发光材料发光;
在所述第二发光材料之上和位于所述第一颜色子像素内的所述第一发光材料之上制作阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的